트랜지스터

BUK7J1R0-40HX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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BUK7J1R4-40HX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8155pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 395W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SOT-1023, 4-LFPAK

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BUK7L06-34ARC,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4533pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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BUK7L11-34ARC,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 34V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2506pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 172W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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BUK7M10-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1231pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M11-40HX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7M11-40H/SOT1210/MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1022pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

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BUK7M12-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 979pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 55W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M12-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1625pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M15-40HX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7M15-40H/SOT1210/MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 801pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 44W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

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BUK7M15-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1262pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M17-80EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 43A LFPAK33

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2031pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 79W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M19-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1055pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 55W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M20-40HX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7M20-40H/SOT1210/MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 598pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

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BUK7M21-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 593pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 44W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M22-80EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1643pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M27-80EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1306pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M33-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 628pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 44W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M3R3-40HX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7M3R3-40H/SOT1210/MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3037pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 101W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BUK7M42-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 508pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M45-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 317pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BUK7M67-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M6R3-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1912pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 79W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M8R0-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1567pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7M9R9-60EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V MLFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.1nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2007pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 79W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK33
• 패키지 / 케이스: SOT-1210, 8-LFPAK33

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BUK7S0R7-40HJ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7S0R7-40H/SOT1235/LFPAK88

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 425A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 202nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15719pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 375W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK88 (SOT1235)
• 패키지 / 케이스: SOT-1235

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BUK7S0R9-40HJ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7S0R9-40H/SOT1235/LFPAK88

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 375A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 32V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12888pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 375W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK88 (SOT1235)
• 패키지 / 케이스: SOT-1235

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BUK7S1R0-40HJ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

BUK7S1R0-40H/SOT1235/LFPAK88

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 325A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10322pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 375W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK88 (SOT1235)
• 패키지 / 케이스: SOT-1235

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BUK7Y07-30B,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1773pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 105W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK7Y08-40B,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 105W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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BUK7Y08-40B/C,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 105W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56, Power-SO8
• 패키지 / 케이스: SC-100, SOT-669

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