트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD23285F5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 628pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음194,802
CSD23285F5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 628pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음133,794
CSD23381F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V Vgs (최대): -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 236pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음1,770,792
CSD23381F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.14nC @ 6V Vgs (최대): -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 236pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음257,622
CSD23382F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 6V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음559,392
CSD23382F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음56,250
CSD25201W15 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음4,662
CSD25202W15 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음1,184
CSD25202W15T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음3,436
CSD25211W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음3,186
CSD25213W10 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음15,077
CSD25301W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음7,002
CSD25302Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-SON 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음6,228
CSD25303W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5) 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음8,442
CSD25304W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음3,150
CSD25304W1015T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음23,094
CSD25310Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 655pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음583,746
CSD25310Q2T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 655pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음5,616
CSD25401Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,014
CSD25402Q3A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 76A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,323,998
CSD25404Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음121,308
CSD25404Q3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음241,572
CSD25480F3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음145,458
CSD25480F3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 10V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음227,922
CSD25481F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.913nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 189pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음398,736
CSD25481F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 189pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음313,836
CSD25483F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V LGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.959nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 198pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음15,337
CSD25483F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V LGA 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.96nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 198pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음55,734
CSD25484F4 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.42nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음361,212
CSD25484F4T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.42nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음830,982

CSD23285F5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 628pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음194,802

CSD23285F5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 628pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음133,794

CSD23381F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
Vgs (최대): -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 236pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음1,770,792

CSD23381F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.14nC @ 6V
Vgs (최대): -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 236pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음257,622

CSD23382F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 6V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음559,392

CSD23382F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음56,250

CSD25201W15

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음4,662

CSD25202W15

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음1,184

CSD25202W15T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음3,436

CSD25211W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음3,186

CSD25213W10

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음15,077

CSD25301W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음7,002

CSD25302Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5A 6SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-SON
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음6,228

CSD25303W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음8,442

CSD25304W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음3,150

CSD25304W1015T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음23,094

CSD25310Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 48A 6SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 655pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음583,746

CSD25310Q2T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 655pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음5,616

CSD25401Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,014

CSD25402Q3A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 76A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,323,998

CSD25404Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음121,308

CSD25404Q3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 104A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음241,572

CSD25480F3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음145,458

CSD25480F3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 10V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음227,922

CSD25481F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.913nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 189pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음398,736

CSD25481F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.91nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 189pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음313,836

CSD25483F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V LGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.959nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 198pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음15,337

CSD25483F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V LGA

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.96nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 198pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음55,734

CSD25484F4

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.42nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음361,212

CSD25484F4T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.42nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음830,982

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