트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRF6620TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음2,394
IRF6620TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음33,000
IRF6621TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음5,382
IRF6621TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음7,614
IRF6621TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음3,636
IRF6622TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 34W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음4,806
IRF6622TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 34W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음4,968
IRF6623 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음3,384
IRF6623TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음4,068
IRF6623TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음7,092
IRF6623TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음37,458
IRF6626 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음4,824
IRF6626TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음5,652
IRF6626TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음5,904
IRF6626TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST	재고 있음2,826
IRF6628TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,518
IRF6628TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,698
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4260pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음5,904
IRF6629TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4260pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음2,682
IRF6631TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음5,274
IRF6631TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 57A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음7,776
IRF6633ATR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MU 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MU	재고 있음3,942
IRF6633ATRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MU 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MU	재고 있음4,410
IRF6633TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MP 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MP	재고 있음7,884
IRF6633TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MP 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MP	재고 있음8,658
IRF6633TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MP 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MP	재고 있음2,628
IRF6635 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,636
IRF6635TR1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,780
IRF6635TR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,554
IRF6635TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음6,876

IRF6620TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음2,394

IRF6620TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음33,000

IRF6621TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음5,382

IRF6621TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음7,614

IRF6621TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음3,636

IRF6622TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음4,806

IRF6622TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음4,968

IRF6623

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음3,384

IRF6623TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음4,068

IRF6623TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음7,092

IRF6623TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1360pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음37,458

IRF6626

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음4,824

IRF6626TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음5,652

IRF6626TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음5,904

IRF6626TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ ST
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric ST

재고 있음2,826

IRF6628TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,518

IRF6628TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,698

IRF6629TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4260pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음5,904

IRF6629TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4260pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음2,682

IRF6631TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음5,274

IRF6631TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 57A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음7,776

IRF6633ATR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MU
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MU

재고 있음3,942

IRF6633ATRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MU
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MU

재고 있음4,410

IRF6633TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MP
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MP

재고 있음7,884

IRF6633TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MP
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MP

재고 있음8,658

IRF6633TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MP
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MP

재고 있음2,628

IRF6635

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,636

IRF6635TR1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,780

IRF6635TR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,554

IRF6635TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5970pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음6,876

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