트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRF6729MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 190A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음2,106
IRF6775MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1411pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ	재고 있음2,412
IRF6775MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1411pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ	재고 있음3,544
IRF6785MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ	재고 있음5,454
IRF6785MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ	재고 있음7,740
IRF6794MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4420pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음6,534
IRF6794MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4420pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,114
IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,518
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음2,520
IRF6797MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5790pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,884
IRF6797MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5790pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,888
IRF6798MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 197A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6560pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음2,646
IRF6798MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 197A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6560pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,050
IRF6810STR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 25V 16A S1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET S1 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S1	재고 있음6,084
IRF6810STRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 25V 16A S1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET S1 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S1	재고 있음8,928
IRF6811STR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 32W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음7,848
IRF6811STRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 32W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ	재고 있음7,164
IRF6892STR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 28A S3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 125A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2510pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ S3C 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S3C	재고 있음7,902
IRF6892STRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 25V 28A S3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 125A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2510pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ S3C 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S3C	재고 있음3,598
IRF6893MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 29A MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 168A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,456
IRF6893MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 29A MX 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 168A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음7,452
IRF6894MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4160pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음6,786
IRF6894MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4160pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음6,354
IRF6898MTR1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 213A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5435pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음4,752
IRF6898MTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 213A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5435pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX	재고 있음3,474
IRF710 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,064
IRF710L Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A TO-262 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,372
IRF710PBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음18,486
IRF710S Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,528
IRF710SPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음12,384

IRF6729MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Ta), 190A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음2,106

IRF6775MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta), 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1411pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ

재고 있음2,412

IRF6775MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta), 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1411pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ

재고 있음3,544

IRF6785MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ

재고 있음5,454

IRF6785MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MZ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MZ

재고 있음7,740

IRF6794MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4420pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음6,534

IRF6794MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V DIRECTFET MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4420pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,114

IRF6795MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,518

IRF6795MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음2,520

IRF6797MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 210A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5790pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,884

IRF6797MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 210A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5790pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,888

IRF6798MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 197A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6560pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음2,646

IRF6798MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Ta), 197A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6560pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,050

IRF6810STR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 25V 16A S1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET S1
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S1

재고 있음6,084

IRF6810STRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 25V 16A S1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET S1
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S1

재고 있음8,928

IRF6811STR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음7,848

IRF6811STRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1590pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric SQ

재고 있음7,164

IRF6892STR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 28A S3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 125A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2510pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ S3C
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S3C

재고 있음7,902

IRF6892STRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 25V 28A S3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 125A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2510pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ S3C
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric S3C

재고 있음3,598

IRF6893MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 29A MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 168A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,456

IRF6893MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 29A MX

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta), 168A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3480pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음7,452

IRF6894MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4160pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음6,786

IRF6894MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4160pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음6,354

IRF6898MTR1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 213A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5435pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음4,752

IRF6898MTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 213A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5435pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스: DirectFET™ Isometric MX

재고 있음3,474

IRF710

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,064

IRF710L

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A TO-262

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,372

IRF710PBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음18,486

IRF710S

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,528

IRF710SPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음12,384

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