트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRFH3702TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,316
IRFH3702TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,150
IRFH3707TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,286
IRFH3707TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,916
IRFH4201TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,236
IRFH4209DTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FASTIRFET™, HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 260A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4620pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,964
IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4812pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,132
IRFH4210TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4812pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,280
IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3520pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,948
IRFH4213TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,380
IRFH4226TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FASTIRFET™, HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.4W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,762
IRFH4234TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 22A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1011pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,586
IRFH5004TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4490pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,310
IRFH5004TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4490pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,316
IRFH5006TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4175pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,886
IRFH5006TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4175pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,002
IRFH5007TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,848
IRFH5007TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,484
IRFH5010TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,006
IRFH5010TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,498
IRFH5015TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,202
IRFH5015TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,248
IRFH5020TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2290pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,128
IRFH5020TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2290pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,058
IRFH5025TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,430
IRFH5025TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,382
IRFH5053TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) Single Die 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,570
IRFH5053TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta), 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) Single Die 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,542
IRFH5104TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 24A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 114W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VQFN Exposed Pad	재고 있음8,280
IRFH5104TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 24A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 114W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-VQFN Exposed Pad	재고 있음8,550

IRFH3702TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,316

IRFH3702TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,150

IRFH3707TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,286

IRFH3707TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,916

IRFH4201TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,236

IRFH4209DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FASTIRFET™, HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 260A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4620pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,964

IRFH4210DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4812pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,132

IRFH4210TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4812pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,280

IRFH4213DTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3520pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,948

IRFH4213TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3420pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,380

IRFH4226TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FASTIRFET™, HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.4W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,762

IRFH4234TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 22A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1011pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,586

IRFH5004TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4490pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,310

IRFH5004TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4490pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,316

IRFH5006TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4175pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,886

IRFH5006TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4175pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,002

IRFH5007TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,848

IRFH5007TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,484

IRFH5010TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,006

IRFH5010TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,498

IRFH5015TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,202

IRFH5015TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,248

IRFH5020TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2290pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,128

IRFH5020TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2290pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,058

IRFH5025TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,430

IRFH5025TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,382

IRFH5053TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) Single Die
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,570

IRFH5053TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta), 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6) Single Die
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,542

IRFH5104TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 24A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 114W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VQFN Exposed Pad

재고 있음8,280

IRFH5104TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 24A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 114W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-VQFN Exposed Pad

재고 있음8,550

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