트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRL2910STRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,660
IRL3102 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,294
IRL3102L Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A TO-262 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,248
IRL3102PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,014
IRL3102S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,384
IRL3102SPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,228
IRL3102STRL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,058
IRL3102STRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,284
IRL3102STRR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,104
IRL3103D1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,626
IRL3103D1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,924
IRL3103D1S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,238
IRL3103D1SPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,928
IRL3103D1STRL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,942
IRL3103D1STRLP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,876
IRL3103D1STRR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,362
IRL3103D2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 70W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,920
IRL3103D2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,178
IRL3103D2S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,064
IRL3103D2STRL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: FETKY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,560
IRL3103L Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,726
IRL3103LPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,994
IRL3103PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음32,484
IRL3103S Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,122
IRL3103SPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,434
IRL3103STRL Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,988
IRL3103STRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,088
IRL3103STRR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,508
IRL3103STRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,482
IRL3202L Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 48A TO-262 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,202

IRL2910STRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,660

IRL3102

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,294

IRL3102L

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A TO-262

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,248

IRL3102PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,014

IRL3102S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,384

IRL3102SPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,228

IRL3102STRL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,058

IRL3102STRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,284

IRL3102STRR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 37A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,104

IRL3103D1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,626

IRL3103D1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,924

IRL3103D1S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,238

IRL3103D1SPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,928

IRL3103D1STRL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,942

IRL3103D1STRLP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,876

IRL3103D1STRR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,362

IRL3103D2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 70W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,920

IRL3103D2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,178

IRL3103D2S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,064

IRL3103D2STRL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: FETKY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,560

IRL3103L

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,726

IRL3103LPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,994

IRL3103PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음32,484

IRL3103S

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,122

IRL3103SPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,434

IRL3103STRL

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,988

IRL3103STRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,088

IRL3103STRR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,508

IRL3103STRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,482

IRL3202L

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 48A TO-262

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,202

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