트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXFB72N55Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 258nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS264™ 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음3,024
IXFB80N50Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS264™ 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음5,076
IXFB82N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS264™ 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음3,960
IXFB82N60Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1560W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS264™ 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음3,580
IXFB90N85X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 850V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1785W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS264™ 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음6,840
IXFC10N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,400
IXFC110N10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음2,466
IXFC12N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음6,156
IXFC13N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 140W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음4,446
IXFC14N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음5,418
IXFC14N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음7,830
IXFC15N80Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음7,398
IXFC16N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,276
IXFC16N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음8,532
IXFC20N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4680pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 166W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음7,920
IXFC22N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,672
IXFC24N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음7,254
IXFC24N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음2,322
IXFC26N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음2,700
IXFC26N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음2,898
IXFC30N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3820pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 166W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음5,490
IXFC36N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음5,184
IXFC40N30Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음5,544
IXFC52N30P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음2,124
IXFC60N20 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음7,578
IXFC74N20P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음7,506
IXFC80N08 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음5,454
IXFC80N085 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,042
IXFC80N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음6,282
IXFC96N15P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음3,600

IXFB72N55Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 258nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS264™
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음3,024

IXFB80N50Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS264™
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음5,076

IXFB82N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 240nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS264™
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음3,960

IXFB82N60Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1560W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS264™
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음3,580

IXFB90N85X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 340nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1785W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS264™
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음6,840

IXFC10N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,400

IXFC110N10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음2,466

IXFC12N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음6,156

IXFC13N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 140W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음4,446

IXFC14N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음5,418

IXFC14N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음7,830

IXFC15N80Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음7,398

IXFC16N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,276

IXFC16N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음8,532

IXFC20N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4680pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 166W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음7,920

IXFC22N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,672

IXFC24N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음7,254

IXFC24N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음2,322

IXFC26N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음2,700

IXFC26N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음2,898

IXFC30N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3820pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 166W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음5,490

IXFC36N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음5,184

IXFC40N30Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음5,544

IXFC52N30P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음2,124

IXFC60N20

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음7,578

IXFC74N20P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 107nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음7,506

IXFC80N08

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음5,454

IXFC80N085

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,042

IXFC80N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음6,282

IXFC96N15P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™ HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음3,600

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