트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXTC75N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 제조업체: IXYS 시리즈: MegaMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™ 패키지 / 케이스: ISOPLUS220™	재고 있음6,894
IXTD1R4N60P 11 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,034
IXTD2N60P-1J IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,574
IXTD3N50P-2J IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 409pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,424
IXTD3N60P-2J IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 411pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,100
IXTD4N80P-3J IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,208
IXTD5N100A IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 5A DIE 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,752
IXTE250N10 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 730W 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음6,372
IXTF02N450 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음6,678
IXTF03N400 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음7,956
IXTF1N400 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음8,280
IXTF1N450 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음7,246
IXTF1R4N450 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음6,192
IXTF200N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5	재고 있음2,520
IXTF230N085T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5	재고 있음5,400
IXTF250N075T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5	재고 있음3,132
IXTF280N055T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5	재고 있음8,928
IXTF2N300P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 3000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™	재고 있음7,380
IXTF6N200P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 2000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 143nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 215W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™	재고 있음7,470
IXTH02N250 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 2500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 116pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,074
IXTH02N450HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 246pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 113W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247HV 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음8,316
IXTH04N300P3HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 3000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 283pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247HV 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음6,498
IXTH06N220P3HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 2200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247HV 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant	재고 있음3,096
IXTH102N15T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 455W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,466
IXTH102N20T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,320
IXTH102N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,190
IXTH10N100D IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 400W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,974
IXTH10N100D2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5320pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 695W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,768
IXTH10P50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,402
IXTH10P50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 제조업체: IXYS 시리즈: PolarP™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,958

IXTC75N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

제조업체: IXYS
시리즈: MegaMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS220™
패키지 / 케이스: ISOPLUS220™

재고 있음6,894

IXTD1R4N60P 11

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,034

IXTD2N60P-1J

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,574

IXTD3N50P-2J

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 409pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,424

IXTD3N60P-2J

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 411pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,100

IXTD4N80P-3J

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,208

IXTD5N100A

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,752

IXTE250N10

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 730W
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음6,372

IXTF02N450

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음6,678

IXTF03N400

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음7,956

IXTF1N400

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음8,280

IXTF1N450

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음7,246

IXTF1R4N450

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음6,192

IXTF200N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5

재고 있음2,520

IXTF230N085T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5

재고 있음5,400

IXTF250N075T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5

재고 있음3,132

IXTF280N055T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5

재고 있음8,928

IXTF2N300P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 3000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™

재고 있음7,380

IXTF6N200P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 2000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 143nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 215W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™

재고 있음7,470

IXTH02N250

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 2500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 116pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,074

IXTH02N450HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 246pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 113W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247HV
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음8,316

IXTH04N300P3HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 3000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 283pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247HV
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음6,498

IXTH06N220P3HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 2200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247HV
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant

재고 있음3,096

IXTH102N15T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 102A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 455W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,466

IXTH102N20T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 102A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,320

IXTH102N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 102A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,190

IXTH10N100D

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 400W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,974

IXTH10N100D2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5320pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 695W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,768

IXTH10P50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,402

IXTH10P50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 500V 10A TO-247

제조업체: IXYS
시리즈: PolarP™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,958

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