트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MMIX1F210N30P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 108A MMIX 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 108A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음7,146
MMIX1F230N20T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 168A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음3,132
MMIX1F360N15T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 235A 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 235A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 715nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 680W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음7,938
MMIX1F40N110P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 310nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음6,228
MMIX1F420N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 334A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 334A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 670nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 680W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음4,878
MMIX1F44N100Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 30A 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 264nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 694W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음2,556
MMIX1F520N075T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 500A 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 545nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음22,440
MMIX1T132N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMPD HIPERFETS & MOSFETS 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 63A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 267nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Polar3™ 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 22 Leads	재고 있음7,632
MMIX1T550N055T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 550A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: FRFET®, SupreMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 595nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음7,884
MMIX1T600N04T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 600A SMPD 제조업체: IXYS 시리즈: FRFET®, SupreMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 590nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 24-SMPD 패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads	재고 있음7,470
MMSF3P02HDR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,214
MMSF3P02HDR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,748
MMSF3P02HDR2SG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,580
MMSF7P03HDR2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75.8nC @ 6V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,168
MMSF7P03HDR2G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75.8nC @ 6V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,930
MPF960 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음1,650
MPF990 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음7,830
MSC015SMA070B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 131A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 700V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,432
MSC015SMA070S Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 166A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음7,542
MSC025SMA120B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO- 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,778
MSC025SMA120J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 278W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 (ISOTOP®) 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,982
MSC025SMA120S Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM D3P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음3,562
MSC040SMA120J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 40MOHM SOT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 (ISOTOP®) 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,760
MSC080SMA120J Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 80MOHM SOT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 (ISOTOP®) 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음3,114
MSC090SMA070B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM TO-2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,830
MSC090SMA070S Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM D3PA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음6,084
MSC140SMA120B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET 1200V 25A TO-247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,176
MSC280SMA120B Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,266
MSC280SMA120S Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D3Pak 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음2,952
MT8386M5 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,700

MMIX1F210N30P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 108A MMIX

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 108A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음7,146

MMIX1F230N20T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 168A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음3,132

MMIX1F360N15T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 235A

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 235A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 715nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 47500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 680W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음7,938

MMIX1F40N110P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 310nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 19000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음6,228

MMIX1F420N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 334A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 334A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 670nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 680W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음4,878

MMIX1F44N100Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 30A

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 264nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 694W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음2,556

MMIX1F520N075T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 500A

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 545nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 41000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음22,440

MMIX1T132N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMPD HIPERFETS & MOSFETS

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 63A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 267nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Polar3™
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 22 Leads

재고 있음7,632

MMIX1T550N055T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 550A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: FRFET®, SupreMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 595nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음7,884

MMIX1T600N04T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 600A SMPD

제조업체: IXYS
시리즈: FRFET®, SupreMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 590nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 24-SMPD
패키지 / 케이스: 24-PowerSMD, 21 Leads

재고 있음7,470

MMSF3P02HDR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,214

MMSF3P02HDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,748

MMSF3P02HDR2SG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,580

MMSF7P03HDR2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75.8nC @ 6V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,168

MMSF7P03HDR2G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75.8nC @ 6V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,930

MPF960

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음1,650

MPF990

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음7,830

MSC015SMA070B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 131A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 700V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,432

MSC015SMA070S

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 166A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음7,542

MSC025SMA120B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO-

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 103A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,778

MSC025SMA120J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 232nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 278W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227 (ISOTOP®)
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,982

MSC025SMA120S

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM D3P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음3,562

MSC040SMA120J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 40MOHM SOT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 137nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1990pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227 (ISOTOP®)
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,760

MSC080SMA120J

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 80MOHM SOT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227 (ISOTOP®)
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음3,114

MSC090SMA070B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM TO-2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,830

MSC090SMA070S

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM D3PA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음6,084

MSC140SMA120B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET 1200V 25A TO-247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,176

MSC280SMA120B

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,266

MSC280SMA120S

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D3Pak
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음2,952

MT8386M5

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,700

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