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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
2N3724L
2N3724L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 500MA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음8,820
2N3724UB
2N3724UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 500MA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음3,816
2N3725
2N3725

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN HIGH SP 50V 500MA TO39

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 800mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음5,490
2N3725
2N3725

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,840
2N3725L
2N3725L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 500MA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음206
2N3725UB
2N3725UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 500MA

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,640
2N3735
2N3735

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-39

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)
재고 있음3,582
2N3735L
2N3735L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음214
2N3737
2N3737

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-46

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-46-3
재고 있음2,412
2N3737UB
2N3737UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
  • 공급자 장치 패키지: UB
재고 있음5,094
2N3740
2N3740

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,074
2N3740A
2N3740A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,202
2N3741
2N3741

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,420
2N3741A
2N3741A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,392
2N3743
2N3743

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음31
2N3762L
2N3762L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,510
2N3763
2N3763

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,394
2N3763L
2N3763L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,068
2N3764
2N3764

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,784
2N3765
2N3765

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,960
2N3771
2N3771

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 30A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 200kHz
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음3,474
2N3771G
2N3771G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 30A TO-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 200kHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)
재고 있음13,056
2N3772
2N3772

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 20A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 200kHz
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음5,688
2N3772G
2N3772G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 20A TO3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 200kHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)
재고 있음6,120
2N3773
2N3773

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 16A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음7,686
2N3773
2N3773

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 16A TO-3

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 4MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음6,624
2N3773G
2N3773G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 16A TO3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)
재고 있음8,208
2N3778
2N3778

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-5

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • 공급자 장치 패키지: TO-5
재고 있음5,994
2N3791
2N3791

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TO-3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,974
2N3791
2N3791

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 10A TO-3

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 4MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음8,640