트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PHX45NQ11T,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 110V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음6,930
PHX8NQ11T,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 110V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음8,802
PHX9NQ20T,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 959pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음3,168
PI5101-01-LGIZ Vicor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA 제조업체: Vicor Corporation 시리즈: Picor® µRDS(on)FET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 5V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 60A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-LGA (4.1x8) 패키지 / 케이스: 3-FLGA	재고 있음2,088
PMBF170,215 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830mW (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236AB 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,230,996
PMBF170,235 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830mW (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236AB 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음89,406
PMCM4401UNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음98,892
PMCM4401UPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.78x0.78) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음100,746
PMCM4401VNEAZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음6,624
PMCM4401VPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 415pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음7,290
PMCM4402UPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음75,330
PMCM440VNE/S500Z Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.78x0.78) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음6,192
PMCM440VNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.78x0.78) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음3,222
PMCM6501UNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98) 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP	재고 있음70,602
PMCM6501UPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.1nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 556mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2) 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP	재고 있음80,820
PMCM6501VNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98) 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP	재고 있음8,262
PMCM6501VPEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98) 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP	재고 있음6,786
PMCM650VNE/S500Z Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98) 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP	재고 있음3,294
PMCM650VNEZ Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98) 패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP	재고 있음6,246
PMF170XP,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta), 1.67W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음1,069,356
PMF250XN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 275mW (Ta), 1.065W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,472
PMF250XNEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 900MA SC70 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 342mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,606
PMF250XNEX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 1A SC70 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 342mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음231,948
PMF280UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.02A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,346
PMF290XN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 34pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,978
PMF370XN,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음309,612
PMF3800SN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.85nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음8,784
PMF400UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 560mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,030
PMF63UN,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 185pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음8,964
PMF63UNEAX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 20V 2A SC70 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.85nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 289pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 395mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,164

PHX45NQ11T,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 110V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음6,930

PHX8NQ11T,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 110V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음8,802

PHX9NQ20T,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 959pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음3,168

PI5101-01-LGIZ

Vicor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA

제조업체: Vicor Corporation
시리즈: Picor® µRDS(on)FET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 5V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 60A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-LGA (4.1x8)
패키지 / 케이스: 3-FLGA

재고 있음2,088

PMBF170,215

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236AB
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,230,996

PMBF170,235

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830mW (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236AB
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음89,406

PMCM4401UNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음98,892

PMCM4401UPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.78x0.78)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음100,746

PMCM4401VNEAZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음6,624

PMCM4401VPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 415pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음7,290

PMCM4402UPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음75,330

PMCM440VNE/S500Z

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.78x0.78)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음6,192

PMCM440VNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.78x0.78)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음3,222

PMCM6501UNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98)
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP

재고 있음70,602

PMCM6501UPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 556mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (2x2)
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP

재고 있음80,820

PMCM6501VNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 6WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98)
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP

재고 있음8,262

PMCM6501VPEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98)
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP

재고 있음6,786

PMCM650VNE/S500Z

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98)
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP

재고 있음3,294

PMCM650VNEZ

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 4WLCSP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.48x.98)
패키지 / 케이스: 6-XFBGA, WLCSP

재고 있음6,246

PMF170XP,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음1,069,356

PMF250XN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 275mW (Ta), 1.065W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,472

PMF250XNEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 900MA SC70

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 342mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,606

PMF250XNEX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 1A SC70

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 81pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 342mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음231,948

PMF280UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.02A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,346

PMF290XN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 34pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,978

PMF370XN,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음309,612

PMF3800SN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.85nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음8,784

PMF400UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 560mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,030

PMF63UN,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 185pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음8,964

PMF63UNEAX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 2A SC70

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.85nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 289pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 395mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,164

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