트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RRH140P03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 650mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,446
RRL025P03FRATR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PCH -30V -2.5A POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,526
RRL025P03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음23,250
RRL035P03FRATR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PCH -30V -3.5A POWER MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음2,340
RRL035P03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TUMT6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음715,272
RRQ020P03TCR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,320
RRQ030P03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,590
RRQ045P03TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음51,870
RRR015P03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음51,798
RRR030P03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음3,240
RRR040P03TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSMT3 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음66,666
RRS070N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,526
RRS075P03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,186
RRS090P03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,634
RRS100N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,568
RRS100P03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,172
RRS110N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,816
RRS125N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.5nC @ 15V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,202
RRS130N03TB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,906
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 22.2W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,316
RS1E150GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 22.9W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,256
RS1E170GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 23.7W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,032
RS1E180BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,482
RS1E200BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 25W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,940
RS1E200GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 25.1W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음21,858
RS1E220ATTB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RS1E220AT IS A POWER MOSFET, SUI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5850pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,508
RS1E240BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,744
RS1E240GNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 27.4W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음96,162
RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 RS1E260AT IS THE HIGH RELIABILIT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7850pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,626
RS1E280BNTB Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HSOP 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,284

RRH140P03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 14A SOP8

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 650mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,446

RRL025P03FRATR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PCH -30V -2.5A POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,526

RRL025P03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음23,250

RRL035P03FRATR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PCH -30V -3.5A POWER MOSFET

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음2,340

RRL035P03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TUMT6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음715,272

RRQ020P03TCR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,320

RRQ030P03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,590

RRQ045P03TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음51,870

RRR015P03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음51,798

RRR030P03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음3,240

RRR040P03TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSMT3
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음66,666

RRS070N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,526

RRS075P03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,186

RRS090P03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,634

RRS100N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,568

RRS100P03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,172

RRS110N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,816

RRS125N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.5nC @ 15V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,202

RRS130N03TB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,906

RS1E130GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,316

RS1E150GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 22.9W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,256

RS1E170GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 23.7W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,032

RS1E180BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,482

RS1E200BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 25W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,940

RS1E200GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 25.1W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음21,858

RS1E220ATTB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RS1E220AT IS A POWER MOSFET, SUI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5850pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,508

RS1E240BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,744

RS1E240GNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 27.4W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음96,162

RS1E260ATTB1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

RS1E260AT IS THE HIGH RELIABILIT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7850pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,626

RS1E280BNTB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HSOP
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,284

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