트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1070pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음575,958
SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음302,964
SI2343DS-T1 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,888
SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음89,172
SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음74,400
SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 705pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음260,340
SI2351DS-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 2.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,014
SI2351DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 2.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,016
SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음748,842
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음278,796
SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,556
SI2367DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 561pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음22,854
SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1295pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-236 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,290,276
SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,826
SI2372DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 30V SOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 5.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 288pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음713,358
SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 20V SOT23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,046
SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음822,528
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 196pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음58,434
SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 196pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,794
SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 835pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,410
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta), 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 833pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 4.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음29,604
SI3134KE-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음5,472
SI3134KL-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음5,454
SI3134K-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 450mA, 1.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-723 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음625,086
SI3139KE-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음3,042
SI3139KL-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음3,618
SI3139K-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-723 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음87,402
SI3400A-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.155nF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음81,678
SI3401A-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음23,118
SI3402-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음27,120

SI2342DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1070pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음575,958

SI2343CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음302,964

SI2343DS-T1

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,888

SI2343DS-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음89,172

SI2343DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음74,400

SI2347DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 705pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음260,340

SI2351DS-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 2.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,014

SI2351DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 2.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,016

SI2356DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음748,842

SI2365EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음278,796

SI2366DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,556

SI2367DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 561pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음22,854

SI2369DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1295pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-236
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,290,276

SI2371EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,826

SI2372DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 30V SOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 288pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음713,358

SI2374DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 20V SOT23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 735pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,046

SI2377EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음822,528

SI2392ADS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 196pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음58,434

SI2392DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 196pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,794

SI2399DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 835pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,410

SI3127DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta), 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 833pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음29,604

SI3134KE-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음5,472

SI3134KL-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음5,454

SI3134K-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 450mA, 1.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-723
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음625,086

SI3139KE-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음3,042

SI3139KL-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음3,618

SI3139K-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-723
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음87,402

SI3400A-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.155nF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음81,678

SI3401A-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음23,118

SI3402-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음27,120

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