트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N5415 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 1A TO-39 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음6,046
2N5415 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-39 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음1,646
2N5415 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,006
2N5415S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,532
2N5415UA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354
2N5416 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A TO-39 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음7,290
2N5416 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,316
2N5416 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음4,860
2N5416UA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,510
2N5416UA/TR Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 POWER BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음2,088
2N5427 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 7A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 7A, 80V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음8,694
2N5428 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,284
2N5429 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,770
2N5430 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SILICON NPN TRANSISTORS 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 40W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66	재고 있음4,878
2N5430 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,844
2N5434 MICROSS/On Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 DIE TRANS SMALL SIGNAL 제조업체: MICROSS/On Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,402
2N5550 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,416
2N5550-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN BIPOLAR TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음8,604
2N5550BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,724
2N5550_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,986
2N5550G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,598
2N5550_J24Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,352
2N5550RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,780
2N5550RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,676
2N5550RLRP ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,696
2N5550RLRPG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,780
2N5550TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음128,394
2N5550TAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음116,868
2N5550TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,734
2N5550TFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,340

2N5415

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 1A TO-39

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음6,046

2N5415

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-39
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음1,646

2N5415

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,006

2N5415S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,532

2N5415UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

2N5416

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A TO-39

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음7,290

2N5416

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,316

2N5416

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음4,860

2N5416UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,510

2N5416UA/TR

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음2,088

2N5427

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 7A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 7A, 80V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음8,694

2N5428

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,284

2N5429

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,770

2N5430

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SILICON NPN TRANSISTORS

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 40W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66

재고 있음4,878

2N5430

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,844

2N5434

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIE TRANS SMALL SIGNAL

제조업체: MICROSS/On Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,402

2N5550

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,416

2N5550-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN BIPOLAR TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음8,604

2N5550BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,724

2N5550_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,986

2N5550G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,598

2N5550_J24Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,352

2N5550RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,780

2N5550RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,676

2N5550RLRP

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,696

2N5550RLRPG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,780

2N5550TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음128,394

2N5550TAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음116,868

2N5550TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,734

2N5550TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,340

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