트랜지스터

STF140N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 35A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 33W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF140N8F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6340pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF14N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF14NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF14NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF150N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 65A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8115pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15N60M2-EP

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2-EP
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: FDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF15NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 983pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16N50M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16N50U

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: UltraFASTmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1950pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

STF16N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: UltraFASTmesh™
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-2 Full Pack
• 패키지 / 케이스: TO-220-2 Full Pack

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STF16N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 718pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16NF25

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF16NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF17N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 15.0A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH3™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF17N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 866pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF17NF25

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF18N55M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF18N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ DM2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF18N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 791pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF18N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STF18N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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