트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STQ3NK50ZR-AP STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음4,932
STR1P2UH7 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ H7 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,768
STR2N2VH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 367pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음25,176
STR2P3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ H6 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 639pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,502
STS10N3LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 5V Vgs (최대): ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,632
STS10P3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ H6 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,010
STS10P4LLF6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ F6 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3525pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,020
STS10PF30L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,328
STS11N3LLH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (최대): +22V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 724pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음26,898
STS11NF30L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음20,928
STS12N3LLH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (최대): +22V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,862
STS12NF30L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,544
STS12NH3LL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,038
STS13N3LLH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): +22V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,678
STS14N3LLH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (최대): ±22V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음47,016
STS15N4LLF3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,210
STS15N4LLF5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,244
STS17NF3LL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,868
STS17NH3LL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,732
STS19N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 15V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,456
STS1HNK60 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,686
STS1NK60Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음23,748
STS20N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,310
STS25NH3LL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,128
STS25NH3LL-E STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,946
STS26N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,202
STS2DPFS20V STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,316
STS30N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,968
STS3P6F6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 48V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,104
STS4DNFS30 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음24,246

STQ3NK50ZR-AP

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음4,932

STR1P2UH7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ H7
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,768

STR2N2VH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 367pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음25,176

STR2P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ H6
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 639pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,502

STS10N3LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 475pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,632

STS10P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ H6
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,010

STS10P4LLF6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ F6
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3525pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,020

STS10PF30L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,328

STS11N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (최대): +22V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 724pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음26,898

STS11NF30L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음20,928

STS12N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +22V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,862

STS12NF30L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,544

STS12NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,038

STS13N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): +22V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,678

STS14N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음47,016

STS15N4LLF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,210

STS15N4LLF5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,244

STS17NF3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,868

STS17NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,732

STS19N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 15V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,456

STS1HNK60

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,686

STS1NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음23,748

STS20N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,310

STS25NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,128

STS25NH3LL-E

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,946

STS26N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,202

STS2DPFS20V

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,316

STS30N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,968

STS3P6F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 48V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,104

STS4DNFS30

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음24,246

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