트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STW13NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,574
STW14NK50Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음10,716
STW14NK60Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,568
STW14NM50 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 175W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,652
STW14NM50FD STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: FDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,920
STW14NM65N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,118
STW150NF55 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 120A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,974
STW15N80K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 800V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,912
STW15N95K5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 950V 12A TO247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH5™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 950V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,132
STW15NB50 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14.6A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: PowerMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,022
STW15NK50Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,754
STW15NK90Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 256nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음14,304
STW15NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음13,884
STW15NM60ND STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: FDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음9,996
STW160N75F3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 120A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,568
STW16N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,816
STW16NK60Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,708
STW16NM50N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 15A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,304
STW17N62K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 620V 15A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,600
STW18N60DM2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ DM2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음18,936
STW18N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 791pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,218
STW18N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 650V 15A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음19,512
STW18NK60Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3540pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,940
STW18NK80Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,538
STW18NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,850
STW18NM60ND STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: FDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,140
STW18NM80 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,212
STW19NM50N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음10,560
STW19NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,544
STW19NM65N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,698

STW13NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,574

STW14NK50Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음10,716

STW14NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,568

STW14NM50

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 175W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,652

STW14NM50FD

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: FDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,920

STW14NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,118

STW150NF55

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,974

STW15N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 800V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,912

STW15N95K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 950V 12A TO247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH5™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 950V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,132

STW15NB50

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14.6A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: PowerMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,022

STW15NK50Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 106nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,754

STW15NK90Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 256nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음14,304

STW15NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음13,884

STW15NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: FDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음9,996

STW160N75F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,568

STW16N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,816

STW16NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,708

STW16NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,304

STW17N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,600

STW18N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ DM2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음18,936

STW18N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 791pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,218

STW18N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 650V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음19,512

STW18NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3540pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,940

STW18NK80Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,538

STW18NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,850

STW18NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: FDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,140

STW18NM80

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,212

STW19NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음10,560

STW19NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,544

STW19NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,698

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