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트랜지스터

기록 64,903
페이지 240/2164
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
2SC4486T-AN
2SC4486T-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 50V

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음2,970
2SC4487S-AN
2SC4487S-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.3A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음8,838
2SC4487T-AN
2SC4487T-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.3A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음2,916
2SC4487T-ANX
2SC4487T-ANX

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.3A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,608
2SC4488S-AN
2SC4488S-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음3,132
2SC4488S-YMH-AN
2SC4488S-YMH-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS BIPO NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,374
2SC4488T-AN
2SC4488T-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음2,700
2SC4488T-YMH-AN
2SC4488T-YMH-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS BIPO NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,218
2SC4489S-AN
2SC4489S-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음7,740
2SC4489T-AN
2SC4489T-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음6,750
2SC4495
2SC4495

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A TO220F

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
  • 전력-최대: 25W
  • 주파수-전환: 40MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음15,234
2SC4505T100P
2SC4505T100P

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.1A SOT-89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 20MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음7,092
2SC4505T100Q
2SC4505T100Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.1A SOT-89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 20MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음8,496
2SC4511
2SC4511

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 6A TO220F

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V
  • 전력-최대: 30W
  • 주파수-전환: 20MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음23,550
2SC4518
2SC4518

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 550V 5A TO220F

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 360mA, 1.8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1.8A, 4V
  • 전력-최대: 35W
  • 주파수-전환: 6MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음7,164
2SC4518A
2SC4518A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 550V 5A TO220F

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 360mA, 1.8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1.8A, 4V
  • 전력-최대: 35W
  • 주파수-전환: 6MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음2,214
2SC4546
2SC4546

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO220F

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 30W
  • 주파수-전환: 10MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음30,324
2SC4548-D-TP
2SC4548-D-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 70MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: SOT-89
재고 있음7,236
2SC4548-E-TP
2SC4548-E-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 70MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: SOT-89
재고 있음7,704
2SC4559
2SC4559

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 7A TO-220F

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 10MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F-A1
재고 있음4,266
2SC45620RL
2SC45620RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.05A SMINI-3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음24,198
2SC4604,F(J
2SC4604,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 50V TO226-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 900mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
재고 있음5,292
2SC4604,T6F(J
2SC4604,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 50V TO226-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 900mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
재고 있음6,714
2SC4604,T6F(M
2SC4604,T6F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 50V TO226-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 900mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
재고 있음6,732
2SC4614S-AN
2SC4614S-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1.5A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음2,304
2SC4614T-AN
2SC4614T-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1.5A NMP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SC-71
  • 공급자 장치 패키지: 3-NMP
재고 있음2,664
2SC4617
2SC4617

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SC75-3

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416
재고 있음7,002
2SC4617EBHZGTLQ
2SC4617EBHZGTLQ

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

2SC4617EBHZG IS BIPOLAR TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음2,286
2SC4617EBHZGTLR
2SC4617EBHZGTLR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

2SC4617EBHZG IS BIPOLAR TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음8,964
2SC4617EBTLP
2SC4617EBTLP

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A EMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음8,262