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트랜지스터

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부품 번호
설명
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수량
BC337TF
BC337TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음6,642
BC337TFR
BC337TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음5,346
BC337ZL1
BC337ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음3,582
BC337ZL1G
BC337ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,880
BC338
BC338

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음6,876
BC338-16 A1G
BC338-16 A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음6,678
BC338-16-AP
BC338-16-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-92

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 200nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음7,632
BC338-16 B1G
BC338-16 B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 100A

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음3,150
BC33816BU
BC33816BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,844
BC33816TA
BC33816TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음8,694
BC338-25 A1G
BC338-25 A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음7,452
BC338-25-AP
BC338-25-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-92

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 200nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음8,172
BC338-25 B1G
BC338-25 B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음8,838
BC33825BU
BC33825BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음5,616
BC33825TA
BC33825TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,668
BC338-25ZL1
BC338-25ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,668
BC338-25ZL1G
BC338-25ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음4,590
BC338-40 A1G
BC338-40 A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음2,646
BC338-40-AP
BC338-40-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-92

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 200nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음6,534
BC338-40 B1G
BC338-40 B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A

  • 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92
재고 있음7,686
BC33840BU
BC33840BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음6,192
BC33840TA
BC33840TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음3,582
BC338BU
BC338BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음5,796
BC338_J35Z
BC338_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음8,046
BC338TF
BC338TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음4,140
BC338TFR
BC338TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음8,280
BC368
BC368

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 65MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음3,420
BC368,112
BC368,112

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A TO-92

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 830mW
  • 주파수-전환: 170MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,214
BC368,126
BC368,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A TO-92

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 830mW
  • 주파수-전환: 170MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,434
BC368_D26Z
BC368_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 2A TO-92

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 45MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,232