트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BCV71,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음6,228
BCV72 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,472
BCV72,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음91,710
BCW29,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음3,816
BCW29,235 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음5,634
BCW30 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,418
BCW30,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음29,184
BCW30,235 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음2,376
BCW30LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음95,496
BCW30T116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.1A SST3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음4,824
BCW31 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,662
BCW31,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음382,386
BCW31T116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SST3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음2,700
BCW32 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,778
BCW32,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음25,134
BCW32,235 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음6,750
BCW32LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 225mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음108,000
BCW32T116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SST3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음6,066
BCW33 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,042
BCW33,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음27,282
BCW33LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,118
BCW33LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음120,162
BCW33LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음8,082
BCW33T116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SST3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음6,408
BCW60A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,388
BCW60A_D87Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,424
BCW60B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음63,907
BCW60B,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음22,560
BCW60B,235 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음7,002
BCW60BE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,014

BCV71,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음6,228

BCV72

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,472

BCV72,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음91,710

BCW29,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음3,816

BCW29,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음5,634

BCW30

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,418

BCW30,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음29,184

BCW30,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음2,376

BCW30LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음95,496

BCW30T116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.1A SST3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음4,824

BCW31

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,662

BCW31,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음382,386

BCW31T116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SST3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음2,700

BCW32

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,778

BCW32,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음25,134

BCW32,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음6,750

BCW32LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 225mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음108,000

BCW32T116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SST3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음6,066

BCW33

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,042

BCW33,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음27,282

BCW33LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,118

BCW33LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음120,162

BCW33LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음8,082

BCW33T116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SST3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음6,408

BCW60A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,388

BCW60A_D87Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,424

BCW60B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음63,907

BCW60B,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음22,560

BCW60B,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음7,002

BCW60BE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,014

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