트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BD435 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 4A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32-3	재고 있음2,808
BD435 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음4,320
BD435-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음7,722
BD435G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음19,956
BD435S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음6,534
BD435STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 32V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음2,700
BD436 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 4A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32-3	재고 있음7,992
BD436-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음5,310
BD436S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음7,488
BD436STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음12,006
BD436T ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 4A TO225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음7,470
BD436TG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 4A TO225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음3,834
BD437 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음4,824
BD437 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32-3	재고 있음4,464
BD437-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음4,248
BD437G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음6,534
BD437S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음8,730
BD437T ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음7,308
BD437TG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음16,872
BD438 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음2,700
BD438 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 4A SOT32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32-3	재고 있음30,144
BD438-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음3,546
BD438G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음5,004
BD438S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음6,120
BD438STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음5,418
BD438TG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 4A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225	재고 있음7,326
BD439 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음9,263
BD439-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음5,472
BD439G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A TO-225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음23,400
BD439S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V 전력-최대: 36W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음5,040

BD435

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 4A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32-3

재고 있음2,808

BD435

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음4,320

BD435-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음7,722

BD435G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음19,956

BD435S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음6,534

BD435STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 32V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음2,700

BD436

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 4A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32-3

재고 있음7,992

BD436-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음5,310

BD436S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음7,488

BD436STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음12,006

BD436T

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 4A TO225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음7,470

BD436TG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 4A TO225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음3,834

BD437

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음4,824

BD437

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32-3

재고 있음4,464

BD437-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음4,248

BD437G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음6,534

BD437S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음8,730

BD437T

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음7,308

BD437TG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음16,872

BD438

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음2,700

BD438

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 4A SOT32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32-3

재고 있음30,144

BD438-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음3,546

BD438G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음5,004

BD438S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음6,120

BD438STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음5,418

BD438TG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 4A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225

재고 있음7,326

BD439

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음9,263

BD439-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음5,472

BD439G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A TO-225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음23,400

BD439S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
전력-최대: 36W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음5,040

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