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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
CE2F3P-T-AZ
CE2F3P-T-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,632
CEN1320 BK
CEN1320 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,772
CEN1320 TR
CEN1320 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,744
CEN1356
CEN1356

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR NPN TO218

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-218-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-218
재고 있음8,712
CEN1372 BK
CEN1372 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,258
CEN1372 TR
CEN1372 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,146
CEN363
CEN363

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR PNP TO-106

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,390
CEN-U05
CEN-U05

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A TO202

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-202 Long Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-202
재고 있음18,024
CEN-U07
CEN-U07

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A TO-202

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-202 Long Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-202
재고 있음10,260
CEN-U45
CEN-U45

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 2A TO-202

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-202 Long Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-202
재고 있음22,512
CEN-U57
CEN-U57

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A TO-202

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-202 Long Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-202
재고 있음16,668
CEN-U95
CEN-U95

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 40V 2A TO-202

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-202 Long Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-202
재고 있음6,966
CENW42
CENW42

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO237

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-237AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-237
재고 있음18,600
CENW92
CENW92

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A TO237

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 2.5W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-237AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-237
재고 있음17,118
CET3904E TR
CET3904E TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.2A SOT883

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: SOT-883
재고 있음5,220
CET3906E TR
CET3906E TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.2A SOT883

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
  • 공급자 장치 패키지: SOT-883
재고 있음7,884
CFD4448 TR
CFD4448 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

DIDE GEN PURP 120V 250MA SOD882L

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,904
CHIPT0110L3E6762SX2XA1
CHIPT0110L3E6762SX2XA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

CHIP T0110L-3 E6762 DIE

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,176
CHIPT0204GUE6327X6SA1
CHIPT0204GUE6327X6SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

CHIP T0204GU E6327 DIE

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,568
CJD112 TR13
CJD112 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 20µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 25MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음3,526
CJD122 TR13
CJD122 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 8A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 4MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음4,248
CJD127 TR13
CJD127 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 8A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 4MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음3,978
CJD13003 TR13
CJD13003 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 1.5A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 1.56W
  • 주파수-전환: 4MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음2,826
CJD200 TR13
CJD200 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 5A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
  • 전력-최대: 1.4W
  • 주파수-전환: 65MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음19,452
CJD31C TR13
CJD31C TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 1.56W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음7,722
CJD32C TR13
CJD32C TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 1.56W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음6,264
CJD41C TR13
CJD41C TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음4,950
CJD42C TR13
CJD42C TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음4,608
CJD44H11 TR13
CJD44H11 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 60MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음7,902
CJD45H11 TR13
CJD45H11 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 8A DPAK

  • 제조업체: Central Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
  • 전력-최대: 1.75W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음3,544