트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JAN2N5582 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.8A TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/423 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46-3	재고 있음5,364
JAN2N5662 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 2A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,508
JAN2N5663 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 2A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음5,382
JAN2N5664 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A TO66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음4,284
JAN2N5665 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 5A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음7,272
JAN2N5666 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음2,376
JAN2N5666S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 5A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,742
JAN2N5667 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 5A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음7,596
JAN2N5667S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 5A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,010
JAN2N5671 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 90V 30A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/488 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 10mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15A, 2V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,730
JAN2N5680 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,712
JAN2N5681 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,124
JAN2N5682 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 1A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/583 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,780
JAN2N5683 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/466 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음2,790
JAN2N5684 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/466 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음4,158
JAN2N5685 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/464 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음470
JAN2N6051 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,982
JAN2N6052 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음2,100
JAN2N6058 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음4,302
JAN2N6059 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 12A TO3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음6,696
JAN2N6193 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/561 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,748
JAN2N6211 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 225V 2A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/461 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 225V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음8,154
JAN2N6249 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음4,932
JAN2N6249T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음8,946
JAN2N6250 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 275V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음3,474
JAN2N6250T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 275V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음5,976
JAN2N6251 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V 전력-최대: 5.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음8,658
JAN2N6251T1 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V 전력-최대: 6W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 공급자 장치 패키지: TO-254AA	재고 있음6,210
JAN2N6277 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음5,817
JAN2N6283 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음2,214

JAN2N5582

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/423
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46-3

재고 있음5,364

JAN2N5662

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 2A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,508

JAN2N5663

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 2A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/454
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음5,382

JAN2N5664

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A TO66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음4,284

JAN2N5665

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 5A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음7,272

JAN2N5666

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음2,376

JAN2N5666S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 5A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,742

JAN2N5667

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 5A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음7,596

JAN2N5667S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 5A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,010

JAN2N5671

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 90V 30A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/488
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 10mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 15A, 2V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,730

JAN2N5680

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,712

JAN2N5681

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,124

JAN2N5682

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 1A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/583
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,780

JAN2N5683

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/466
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음2,790

JAN2N5684

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/466
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음4,158

JAN2N5685

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/464
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음470

JAN2N6051

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,982

JAN2N6052

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음2,100

JAN2N6058

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음4,302

JAN2N6059

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/502
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음6,696

JAN2N6193

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/561
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,748

JAN2N6211

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 225V 2A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/461
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 225V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음8,154

JAN2N6249

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음4,932

JAN2N6249T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음8,946

JAN2N6250

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 275V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음3,474

JAN2N6250T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 275V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음5,976

JAN2N6251

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
전력-최대: 5.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음8,658

JAN2N6251T1

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
전력-최대: 6W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
공급자 장치 패키지: TO-254AA

재고 있음6,210

JAN2N6277

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음5,817

JAN2N6283

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/504
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1250 @ 10A, 3V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음2,214

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