트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTX2N2369AU Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V SMD 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음3,582
JANTX2N2369AUB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음7,164
JANTX2N2369AUB/TR Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음5,976
JANTX2N2432 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음4,842
JANTX2N2432A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음4,122
JANTX2N2481 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 10MA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,550
JANTX2N2484 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음60,660
JANTX2N2484UA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음8,730
JANTX2N2484UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.05A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음8,766
JANTX2N2605 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음3,956
JANTX2N2880 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/315 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음7,884
JANTX2N2904 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,544
JANTX2N2904A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,580
JANTX2N2904AL Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A TO5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,436
JANTX2N2905 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.6A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,230
JANTX2N2905A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,058
JANTX2N2905AL Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음6,642
JANTX2N2906A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음4,932
JANTX2N2906AL Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음3,436
JANTX2N2906AUA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 4-SMD	재고 있음8,478
JANTX2N2906AUB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음2,322
JANTX2N2907A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A TO18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음19,740
JANTX2N2907AL Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음7,362
JANTX2N2907AUA Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음2,100
JANTX2N2907AUA/TR Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.8W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UA	재고 있음5,634
JANTX2N2907AUB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음6,858
JANTX2N2907AUB/TR Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SMALL-SIGNAL BJT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음4,842
JANTX2N2944A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 10V 0.1A TO-46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/382 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 500mV 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음7,146
JANTX2N2945A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 0.1A TO-46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/382 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46-3	재고 있음22,920
JANTX2N2946A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 35V 0.1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/382 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-46-3 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음3,996

JANTX2N2369AU

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V SMD

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음3,582

JANTX2N2369AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음7,164

JANTX2N2369AUB/TR

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음5,976

JANTX2N2432

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음4,842

JANTX2N2432A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음4,122

JANTX2N2481

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 10MA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,550

JANTX2N2484

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A TO-18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음60,660

JANTX2N2484UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음8,730

JANTX2N2484UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음8,766

JANTX2N2605

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음3,956

JANTX2N2880

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/315
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음7,884

JANTX2N2904

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,544

JANTX2N2904A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,580

JANTX2N2904AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A TO5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,436

JANTX2N2905

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.6A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,230

JANTX2N2905A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,058

JANTX2N2905AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/290
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음6,642

JANTX2N2906A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음4,932

JANTX2N2906AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음3,436

JANTX2N2906AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 4-SMD

재고 있음8,478

JANTX2N2906AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음2,322

JANTX2N2907A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A TO18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음19,740

JANTX2N2907AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음7,362

JANTX2N2907AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음2,100

JANTX2N2907AUA/TR

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.8W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UA

재고 있음5,634

JANTX2N2907AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음6,858

JANTX2N2907AUB/TR

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SMALL-SIGNAL BJT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/291
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음4,842

JANTX2N2944A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 10V 0.1A TO-46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/382
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 500mV
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음7,146

JANTX2N2945A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 0.1A TO-46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/382
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46-3

재고 있음22,920

JANTX2N2946A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 35V 0.1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/382
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-46-3
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음3,996

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