트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MJD32RLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,456
MJD32T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,654
MJD340 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,582
MJD340-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 15W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-2	재고 있음8,748
MJD340G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음17,682
MJD340RLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음17,958
MJD340T4 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,328
MJD340T4 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A D-PAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 15W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음25,872
MJD340T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음185,172
MJD340TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음3,294
MJD350-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 15W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-2	재고 있음5,562
MJD350G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음8,730
MJD350T4 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,988
MJD350T4 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 15W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음628,614
MJD350T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음119,850
MJD350TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음6,840
MJD361T4-A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 4V 전력-최대: 15W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음4,014
MJD41CRLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음49,242
MJD41CT4 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,628
MJD41CT4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음73,650
MJD41CTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252AA	재고 있음7,344
MJD42C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음8,694
MJD42C1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음8,604
MJD42C1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음23,820
MJD42CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음13,860
MJD42CRL ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,528
MJD42CRLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,934
MJD42CT4 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,960
MJD42CT4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음267,684
MJD44E3T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음173,124

MJD32RLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,456

MJD32T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,654

MJD340

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,582

MJD340-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 15W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-2

재고 있음8,748

MJD340G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음17,682

MJD340RLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음17,958

MJD340T4

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,328

MJD340T4

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A D-PAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 15W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음25,872

MJD340T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음185,172

MJD340TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음3,294

MJD350-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 15W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-2

재고 있음5,562

MJD350G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음8,730

MJD350T4

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,988

MJD350T4

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 15W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음628,614

MJD350T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음119,850

MJD350TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음6,840

MJD361T4-A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 4V
전력-최대: 15W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음4,014

MJD41CRLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음49,242

MJD41CT4

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,628

MJD41CT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음73,650

MJD41CTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252AA

재고 있음7,344

MJD42C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음8,694

MJD42C1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음8,604

MJD42C1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음23,820

MJD42CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음13,860

MJD42CRL

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,528

MJD42CRLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,934

MJD42CT4

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,960

MJD42CT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음267,684

MJD44E3T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음173,124

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