트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MPSW01A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,798
MPSW01AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,770
MPSW01ARLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음5,166
MPSW01ARLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,798
MPSW01ARLRP ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음5,454
MPSW01ARLRPG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음8,388
MPSW01G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,978
MPSW05 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음6,030
MPSW05G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음2,466
MPSW06 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음2,628
MPSW06G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,744
MPSW06RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,698
MPSW06RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음7,596
MPSW13RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,662
MPSW13RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,950
MPSW3725 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음2,034
MPSW42 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음2,088
MPSW42G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,500
MPSW42RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음5,994
MPSW42RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,464
MPSW45 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음8,172
MPSW45A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 50V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음2,502
MPSW45AG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음7,920
MPSW45ARLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음5,400
MPSW45AZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,402
MPSW45AZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,366
MPSW45G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,490
MPSW45RLRE ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음4,770
MPSW45RLREG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,472
MPSW51A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음3,654

MPSW01A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,798

MPSW01AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,770

MPSW01ARLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음5,166

MPSW01ARLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,798

MPSW01ARLRP

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음5,454

MPSW01ARLRPG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음8,388

MPSW01G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,978

MPSW05

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음6,030

MPSW05G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음2,466

MPSW06

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음2,628

MPSW06G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,744

MPSW06RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,698

MPSW06RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음7,596

MPSW13RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,662

MPSW13RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,950

MPSW3725

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음2,034

MPSW42

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음2,088

MPSW42G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,500

MPSW42RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음5,994

MPSW42RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,464

MPSW45

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음8,172

MPSW45A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음2,502

MPSW45AG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음7,920

MPSW45ARLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음5,400

MPSW45AZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,402

MPSW45AZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,366

MPSW45G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,490

MPSW45RLRE

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음4,770

MPSW45RLREG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,472

MPSW51A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음3,654

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