트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DDTB122LU-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음7,938
DDTB122LU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음29,052
DDTB122TC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,752
DDTB122TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,056
DDTB122TU-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,562
DDTB122TU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음25,650
DDTB123EC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음24,702
DDTB123EU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,096
DDTB123TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,866
DDTB123TU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음2,952
DDTB123YC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,506
DDTB123YU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음27,948
DDTB133HC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 3.3 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,254
DDTB133HU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 3.3 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음5,058
DDTB142JC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,454
DDTB142JC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,244
DDTB142JU-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음7,686
DDTB142JU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,526
DDTB142TC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,852
DDTB142TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음89,880
DDTB142TU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 470 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음27,846
DDTB143EC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,714
DDTB143EU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,572
DDTB143TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,768
DDTB143TU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,690
DDTC113TCA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,898
DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,938
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음4,680
DDTC113TE-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음5,490
DDTC113TKA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음3,276

DDTB122LU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음7,938

DDTB122LU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음29,052

DDTB122TC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,752

DDTB122TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,056

DDTB122TU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,562

DDTB122TU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음25,650

DDTB123EC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음24,702

DDTB123EU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,096

DDTB123TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,866

DDTB123TU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음2,952

DDTB123YC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,506

DDTB123YU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음27,948

DDTB133HC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 3.3 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,254

DDTB133HU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 3.3 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음5,058

DDTB142JC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,454

DDTB142JC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,244

DDTB142JU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음7,686

DDTB142JU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,526

DDTB142TC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,852

DDTB142TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음89,880

DDTB142TU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 470 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음27,846

DDTB143EC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,714

DDTB143EU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,572

DDTB143TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,768

DDTB143TU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,690

DDTC113TCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,898

DDTC113TCA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,938

DDTC113TE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음4,680

DDTC113TE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음5,490

DDTC113TKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음3,276

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message