Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 635/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
DRA3123Y0L
DRA3123Y0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음3,618
DRA3124E0L
DRA3124E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음5,292
DRA3124T0L
DRA3124T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음3,508
DRA3124X0L
DRA3124X0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음2,916
DRA3143E0L
DRA3143E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음6,768
DRA3143T0L
DRA3143T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음84,186
DRA3143X0L
DRA3143X0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음3,294
DRA3143Y0L
DRA3143Y0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음5,598
DRA3143Z0L
DRA3143Z0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음4,590
DRA3144E0L
DRA3144E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음3,436
DRA3144T0L
DRA3144T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음8,550
DRA3144V0L
DRA3144V0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음6,714
DRA3144W0L
DRA3144W0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음84,780
DRA3152Z0L
DRA3152Z0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 510 Ohms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 5.1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 100mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2-B
재고 있음2,574
DRA5113Z0L
DRA5113Z0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음4,950
DRA5114E0L
DRA5114E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음23,472
DRA5114T0L
DRA5114T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음6,912
DRA5114Y0L
DRA5114Y0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음6,696
DRA5115E0L
DRA5115E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음3,834
DRA5115G0L
DRA5115G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음3,042
DRA5115T0L
DRA5115T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음5,364
DRA5123E0L
DRA5123E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음6,408
DRA5123J0L
DRA5123J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음5,562
DRA5123Y0L
DRA5123Y0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음8,604
DRA5124E0L
DRA5124E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음2,448
DRA5124T0L
DRA5124T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음3,798
DRA5124X0L
DRA5124X0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음4,824
DRA5143E0L
DRA5143E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음24,594
DRA5143T0L
DRA5143T0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음27,666
DRA5143X0L
DRA5143X0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2-B
재고 있음5,076