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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330µA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음5,580
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음7,542
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음5,454
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TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음6,372
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음7,002
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음6,444
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음4,518
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음27,234
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음2,430
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음2,358
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음3,096
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음3,672
UNR521100L
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음2,700
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음5,994
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음8,514
UNR5212G0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음2,592
UNR521300L
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음3,978
UNR5213G0L
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음4,698
UNR521400L
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음5,094
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음29,502
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  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음4,068
UNR5215G0L
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

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  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-F2
재고 있음23,946
UNR521600L
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SMini3-G1
재고 있음3,096