Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 83/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
PUMD6/ZLX
PUMD6/ZLX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음5,778
PUMD9,115
PUMD9,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음685,842
PUMD9,135
PUMD9,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음4,860
PUMD9,165
PUMD9,165

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,614
PUMF11,115
PUMF11,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음3,330
PUMF12,115
PUMF12,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음2,160
PUMH10,115
PUMH10,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음669,474
PUMH10,125
PUMH10,125

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음55,560
PUMH10Z
PUMH10Z

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PUMH10/SOT363/SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음7,542
PUMH11,115
PUMH11,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음223,020
PUMH1,115
PUMH1,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음43,278
PUMH11F
PUMH11F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음5,040
PUMH13,115
PUMH13,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음242,448
PUMH14,115
PUMH14,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음4,770
PUMH15,115
PUMH15,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음24,966
PUMH16,115
PUMH16,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음24,060
PUMH17,115
PUMH17,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음310,566
PUMH18,115
PUMH18,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음5,724
PUMH19,115
PUMH19,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음8,406
PUMH1/DG/B3,115
PUMH1/DG/B3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS RET SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100mA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음2,142
PUMH20,115
PUMH20,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음222,972
PUMH2,115
PUMH2,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음234,996
PUMH24,115
PUMH24,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음3,762
PUMH2/DG/B3,115
PUMH2/DG/B3,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS RET SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음2,826
PUMH2F
PUMH2F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PUMH2/SOT363/SC-88

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: 230MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음3,276
PUMH30,115
PUMH30,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음3,060
PUMH4,115
PUMH4,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음618,660
PUMH7,115
PUMH7,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음109,284
PUMH9,115
PUMH9,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음276,540
PUMH9,125
PUMH9,125

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP
재고 있음47,496