트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음5,274
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음5,454
RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음8,496
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,798
RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음5,652
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음2,232
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음8,280
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음244,248
RN4987,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,732
RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,812
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음3,654
RN4989FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,390
RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음5,832
RN4990FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음8,982
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음26,718
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,660
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음23,958
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음5,022
RN49A2,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음7,380
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,290
SMUN5113DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,470
SMUN5114DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음29,760
SMUN5115DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,030
SMUN5116DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,434
SMUN5131DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 50V SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,084
SMUN5211DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음143,958
SMUN5213DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음44,730
SMUN5214DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,218
SMUN5216DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,236
SMUN5230DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음27,924

RN4984FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음5,274

RN4984,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음5,454

RN4984(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음8,496

RN4985FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,798

RN4985,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음5,652

RN4986FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음2,232

RN4986(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음8,280

RN4987FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음244,248

RN4987,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,732

RN4988FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,812

RN4988(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음3,654

RN4989FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,390

RN4989(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음5,832

RN4990FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음8,982

RN4990(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음26,718

RN4991FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,660

RN4991(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음23,958

RN49A1(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음5,022

RN49A2,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음7,380

SMUN5112DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,290

SMUN5113DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,470

SMUN5114DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음29,760

SMUN5115DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,030

SMUN5116DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,434

SMUN5131DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,084

SMUN5211DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음143,958

SMUN5213DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음44,730

SMUN5214DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,218

SMUN5216DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,236

SMUN5230DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음27,924

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