Infineon Technologies 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

제조업체Infineon Technologies

기록 393

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부품 번호	제조업체	설명	재고 있음	시리즈	FET 유형	FET 기능	드레인-소스 전압 (Vdss)	전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	Rds On (최대) @ Id, Vgs	Vgs (th) (최대) @ Id	게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	전력-최대	작동 온도	장착 유형	패키지 / 케이스	공급자 장치 패키지
DF23MR12W1M1B11BOMA1	Infineon Technologies	MOSFET MODULE 1200V 25A	2,610	CoolSiC™+	2 N-Channel (Dual)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	25A	45mOhm @ 25A, 15V	5.5V @ 10mA	620nC @ 15V	2000pF @ 800V	20mW	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	Module	Module
IRF7331TRPBF-1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC	6,318	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRF7904TRPBF-1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC	7,776	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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