Instant Offers

2N4857

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 40 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4856

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 25 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4091

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N3823

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/375
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 8V @ 500pA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-72

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N5114

Microsemi

트랜지스터-JFET

P CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): 75 Ohms
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4092

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4391

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: *
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 1.8W
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK208-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: S-Mini

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK208-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V SC59

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SC-59

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTX2N4092

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTX2N4093UB

Microsemi

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 80 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2145-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
• 공급자 장치 패키지: SMV

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMBFJ110,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
• 저항-RDS (켜짐): 18 Ohms
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMBF4393,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK208-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V SC59

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SC-59

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK879-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W USM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: USM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK879-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W USM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: USM

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PMBFJ309,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N5116

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): 150 Ohms
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2N4858A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W TO-18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
• 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

MMBF5103

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

PZM5.1NB2,115

NXP

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 5.1V
• 공차: ±2%
• 전력-최대: 300mW
• 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3µA @ 1.5V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100mA
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BZX284-C6V2,135

NXP

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD2

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 6.2V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: 400mW
• 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3µA @ 4V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100mA
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOD-110
• 공급자 장치 패키지: SOD110

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BZX284-C5V6,135

NXP

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 5.6V 400MW SOD2

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 5.6V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: 400mW
• 임피던스 (최대) (Zzt): 40 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 2V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100mA
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOD-110
• 공급자 장치 패키지: SOD110

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

NZ9F3V6T5G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD923

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.6V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: 200mW
• 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOD-923
• 공급자 장치 패키지: SOD-923

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BZG03C180TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.25W DO214AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 180V
• 공차: -
• 전력-최대: 1.25W
• 임피던스 (최대) (Zzt): 400 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 130V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
• 공급자 장치 패키지: DO-214AC

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

1N4753A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.3W DO41

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 36V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: 1.3W
• 임피던스 (최대) (Zzt): 1 kOhms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 27.4V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA
• 작동 온도: 175°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
• 공급자 장치 패키지: DO-41

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

1N4742A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.3W DO41

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 12V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: 1.3W
• 임피던스 (최대) (Zzt): 700 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 9.1V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA
• 작동 온도: 175°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
• 공급자 장치 패키지: DO-41

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

1N4735A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.3W DO41

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 6.2V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: 1.3W
• 임피던스 (최대) (Zzt): 700 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA
• 작동 온도: 175°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: DO-204AL, DO-41, Axial
• 공급자 장치 패키지: DO-41

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

JANTX1N823-1

M/A-Com Technology Solutions

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 6.2V DO35

• 제조업체: M/A-Com Technology Solutions
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/127
• 전압-제너 (Nom) (Vz): 6.2V
• 공차: ±5%
• 전력-최대: -
• 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 3V
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
• 공급자 장치 패키지: DO-35

장바구니에 추가장바구니에 업데이트