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CSD87353Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

• 제조업체:
• 시리즈: NexFET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3190pF @ 15V
• 전력-최대: 12W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

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CSD86350Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON

• 제조업체:
• 시리즈: NexFET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
• 전력-최대: 13W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

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CSD87588N

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

• 제조업체:
• 시리즈: NexFET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 736pF @ 15V
• 전력-최대: 6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-XFLGA
• 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)

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2N4341

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

IC JUNCTION FET N-CH TO-18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 325mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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BF246A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

SCR

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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2N4391

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 100pA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 1.8W
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N5116

Microsemi

트랜지스터-JFET

P CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): 175 Ohms
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N4093

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/431
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 80 Ohms
• 전력-최대: 360mW
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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2N3822

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/375
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 500pA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-72

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2N5460

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.31W TO-92

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 310mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92

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2SK3320-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET DUAL N-CH USV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 200mW
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: USV

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U310-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 25V TO-52

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

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U291

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 3nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 0V
• 저항-RDS (켜짐): 7 Ohms
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AC (TO-52)

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2N5116

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V TO-18

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N5114

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4391

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 1.8W
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4338

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

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2N4119A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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2N4118A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 300mW
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

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MMBF5461

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 225mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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MMBF4119

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 225mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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2SK596S-B

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW SPA

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: SC-72
• 공급자 장치 패키지: 3-SPA

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J111RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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FJZ594JCTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-623F
• 공급자 장치 패키지: SOT-623F

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FJX597JBTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)

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FJX597JCTF

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 20V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
• 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: SC-70 (SOT323)

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BF246A

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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2N5460

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
• 저항-RDS (켜짐): -
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3

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PMBFJ620,115

NXP

트랜지스터-JFET

JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
• 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
• 전력-최대: 190mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

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PMBFJ109,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
• 전류 드레인 (Id)-최대: -
• 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1µA
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
• 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
• 전력-최대: 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

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