Instant Offers

부품 번호	설명	재고 있음
AON3806 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-DFN (2.9x2.3)	재고 있음53,909
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음27,329
IRF7341PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음58,528
IRF7328PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2675pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음860
IRF7319PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음288
IRF8915 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음378
IRF7754 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음109
IRF7103Q Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음10,656
IRF7507TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 15V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음1,813
IRF7506TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 25V 전력-최대: 1.25W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: Micro8™	재고 있음5,032
NDS9955 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V 전력-최대: 900mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,829
NDS8926 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음39
STS8DNH3LL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 857pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음10,776
VMM650-01F IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1440nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Y3-Li 공급자 장치 패키지: Y3-Li	재고 있음140
APTM08TAM04PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V 전력-최대: 138W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,861
AO8808A Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음15,367
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음161,437
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1170pF @ 50V 전력-최대: 46W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual	견적 요청
STL8DN10LF3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 25V 전력-최대: 70W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)	재고 있음989
CSD87313DMS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-WSON (3.3x3.3)	재고 있음12,182
STL8DN6LF3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V 전력-최대: 65W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)	재고 있음1,185
FDS8935 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 40V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,944
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 400mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음3,872
FTCO3V455A1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SPM® FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 115W 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 19-PowerDIP Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음60
SLA5061 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V 전력-최대: 5W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 12-SIP 공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin	재고 있음2,354
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 22mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 10V 전력-최대: 780W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음94
TC8020K6-G Microchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - FET 유형: 6 N and 6 P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 56-QFN (8x8)	재고 있음27
EPC2111 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 제조업체: EPC 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,137
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 전력-최대: 38W (Tc), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)	재고 있음418
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 SIC POWER MODULE 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 50mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V 전력-최대: 880W 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,471

AON3806

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-DFN (2.9x2.3)

재고 있음53,909

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음27,329

IRF7341PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음58,528

IRF7328PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2675pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음860

IRF7319PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음288

IRF8915

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음378

IRF7754

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1984pF @ 6V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음109

IRF7103Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음10,656

IRF7507TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A, 1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 15V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음1,813

IRF7506TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 25V
전력-최대: 1.25W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: Micro8™

재고 있음5,032

NDS9955

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,829

NDS8926

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음39

STS8DNH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 857pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음10,776

VMM650-01F

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1440nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Y3-Li
공급자 장치 패키지: Y3-Li

재고 있음140

APTM08TAM04PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V
전력-최대: 138W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,861

AO8808A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음15,367

DMN5L06VKQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음161,437

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1170pF @ 50V
전력-최대: 46W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 Dual

견적 요청

STL8DN10LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 25V
전력-최대: 70W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)

재고 있음989

CSD87313DMS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-WSON (3.3x3.3)

재고 있음12,182

STL8DN6LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V
전력-최대: 65W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)

재고 있음1,185

FDS8935

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 879pF @ 40V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음2,944

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 400mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음3,872

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SPM®
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 115W
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 19-PowerDIP Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음60

SLA5061

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 10V
전력-최대: 5W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 12-SIP
공급자 장치 패키지: 12-SIP w/fin

재고 있음2,354

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 22mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 10V
전력-최대: 780W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음94

TC8020K6-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
FET 유형: 6 N and 6 P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 56-QFN (8x8)

재고 있음27

EPC2111

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,137

SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
전력-최대: 38W (Tc), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

재고 있음418

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SIC POWER MODULE

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 50mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
전력-최대: 880W
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,471

Send Message

Certifications

Instant Offers

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message