Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

Instant Offers

기록 63,443
페이지 1990/2115
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
AFT26P100-4WSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 2.69GHz
  • 이득: 15.1dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 200mA
  • 전원-출력: 22W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-4
재고 있음459
MRF8P20161HSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780S

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.92GHz
  • 이득: 16.4dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 550mA
  • 전원-출력: 37W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-4
재고 있음2,367
MRF8P20160HSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.92GHz
  • 이득: 16.5dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 550mA
  • 전원-출력: 37W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-4
재고 있음1,227
MRF6VP41KHSR5

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 450MHz
  • 이득: 20dB
  • 전압-테스트: 50V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 150mA
  • 전원-출력: 1000W
  • 전압-정격: 110V
  • 패키지 / 케이스: NI-1230S
  • 공급자 장치 패키지: NI-1230S
재고 있음415
MD7P19130HSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.99GHz
  • 이득: 20dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.25A
  • 전원-출력: 40W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S-4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S-4
재고 있음7
MD7P19130HR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: 1.99GHz
  • 이득: 20dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.25A
  • 전원-출력: 40W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI780-4
  • 공급자 장치 패키지: NI-780-4
재고 있음390
MRF7S27130HSR5

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.7GHz
  • 이득: 16.5dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.5A
  • 전원-출력: 23W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S
재고 있음10,643
MRF21010LSR1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.17GHz
  • 이득: 13.5dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 100mA
  • 전원-출력: 10W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: NI-360S
  • 공급자 장치 패키지: NI-360S
재고 있음1,453
MRFG35003N6T1

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: pHEMT FET
  • 주파수: 3.55GHz
  • 이득: 9dB
  • 전압-테스트: 6V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 180mA
  • 전원-출력: 3W
  • 전압-정격: 8V
  • 패키지 / 케이스: PLD-1.5
  • 공급자 장치 패키지: PLD-1.5
재고 있음975
MRF6S9160HSR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 880MHZ NI-780S

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 880MHz
  • 이득: 20.9dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.2A
  • 전원-출력: 35W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: NI-780S
  • 공급자 장치 패키지: NI-780S
재고 있음23
MRF6S27085HR5

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 2.66GHZ NI-780

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.66GHz
  • 이득: 15.5dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 900mA
  • 전원-출력: 20W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: SOT-957A
  • 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L
재고 있음443
MRF6S23140HR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 2.39GHZ NI-880

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.39GHz
  • 이득: 15.2dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.3A
  • 전원-출력: 28W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: NI-880
  • 공급자 장치 패키지: NI-880
재고 있음166
MRF6S21050LR5

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 2.16GHZ NI-400

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.16GHz
  • 이득: 16dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 450mA
  • 전원-출력: 11.5W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: NI-400
  • 공급자 장치 패키지: NI-400
재고 있음1,264
MRF6S19140HR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 1.99GHZ NI-880

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz
  • 이득: 16dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.15A
  • 전원-출력: 29W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: NI-880
  • 공급자 장치 패키지: NI-880
재고 있음2,422
MRF6P9220HR3

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 880MHZ NI-860C3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 880MHz
  • 이득: 20dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.6A
  • 전원-출력: 47W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: NI-860C3
  • 공급자 장치 패키지: NI-860C3
재고 있음35
MRF6P23190HR5

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.39GHz
  • 이득: 14dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.9A
  • 전원-출력: 40W
  • 전압-정격: 68V
  • 패키지 / 케이스: NI-1230
  • 공급자 장치 패키지: NI-1230
재고 있음260
BLF10M6LS200U
BLF10M6LS200U

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 871.5MHz ~ 891.5MHz
  • 이득: 20dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.4A
  • 전원-출력: 40W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT-502B
  • 공급자 장치 패키지: SOT502B
재고 있음213
BLF988S,112
BLF988S,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 860MHz
  • 이득: 20.8dB
  • 전압-테스트: 50V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.3A
  • 전원-출력: 250W
  • 전압-정격: 110V
  • 패키지 / 케이스: SOT539B
  • 공급자 장치 패키지: SOT539B
재고 있음276
BLF988,112
BLF988,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 860MHz
  • 이득: 20.8dB
  • 전압-테스트: 50V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.3A
  • 전원-출력: 250W
  • 전압-정격: 110V
  • 패키지 / 케이스: SOT539A
  • 공급자 장치 패키지: SOT539A
재고 있음3
BLL6G1214L-250,112

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz
  • 이득: 15dB
  • 전압-테스트: 36V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 150mA
  • 전원-출력: 250W
  • 전압-정격: 89V
  • 패키지 / 케이스: SOT-502A
  • 공급자 장치 패키지: LDMOST
재고 있음2,800
BLF6G15L-500H,112

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 1.45Ghz ~ 1.49GHz
  • 이득: 16dB
  • 전압-테스트: 50V
  • 전류 정격 (Amps): 45A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.3A
  • 전원-출력: 65W
  • 전압-정격: 100V
  • 패키지 / 케이스: SOT539A
  • 공급자 장치 패키지: SOT539A
재고 있음132
BLF6G10L-260PBM,11

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V SOT1110A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual)
  • 주파수: -
  • 이득: -
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 64A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.8A
  • 전원-출력: 40W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT-1110A
  • 공급자 장치 패키지: LDMOST
재고 있음3,784
BLF7G20LS-250P,112

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 1.81GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 18dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 65A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.9A
  • 전원-출력: 70W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT539B
  • 공급자 장치 패키지: SOT539B
재고 있음234
BLD6G22LS-50,112

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 2.14GHz
  • 이득: 14dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 10.2A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 170mA
  • 전원-출력: 8W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT-1130B
  • 공급자 장치 패키지: CDFM4
재고 있음181
BLF6G20-180PN,112

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 1.8GHz ~ 1.88GHz
  • 이득: 18dB
  • 전압-테스트: 32V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.6A
  • 전원-출력: 50W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT539A
  • 공급자 장치 패키지: SOT539A
재고 있음29
SD2933
SD2933

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: N-Channel
  • 주파수: 30MHz
  • 이득: 23.5dB
  • 전압-테스트: 50V
  • 전류 정격 (Amps): 40A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 250mA
  • 전원-출력: 300W
  • 전압-정격: 125V
  • 패키지 / 케이스: M177
  • 공급자 장치 패키지: M177
재고 있음1,814
BLF878,112
BLF878,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
  • 주파수: 860MHz
  • 이득: 21dB
  • 전압-테스트: 40V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.4A
  • 전원-출력: 300W
  • 전압-정격: 89V
  • 패키지 / 케이스: SOT-979A
  • 공급자 장치 패키지: CDFM2
재고 있음126
BLA1011-200,112
BLA1011-200,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 1.03GHz ~ 1.09GHz
  • 이득: 13dB
  • 전압-테스트: 36V
  • 전류 정격 (Amps): -
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 150mA
  • 전원-출력: 200W
  • 전압-정격: 75V
  • 패키지 / 케이스: SOT-502A
  • 공급자 장치 패키지: LDMOST
재고 있음98
BLF6G38LS-100,112

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 이득: 13dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 34A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 1.05A
  • 전원-출력: 18.5W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT-502B
  • 공급자 장치 패키지: SOT502B
재고 있음2,905
BLF7G22LS-130,118

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B

  • 제조업체: Ampleon USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: LDMOS
  • 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • 이득: 18.5dB
  • 전압-테스트: 28V
  • 전류 정격 (Amps): 28A
  • 소음 수치: -
  • 현재-테스트: 950mA
  • 전원-출력: 30W
  • 전압-정격: 65V
  • 패키지 / 케이스: SOT-502B
  • 공급자 장치 패키지: SOT502B
재고 있음208