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부품 번호	설명	재고 있음
CG2H30070F Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET HEMT 28V 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: - 이득: - 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 75W 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음10,033
CGH40090PP Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET HEMT 28V 440199 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 4GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 28A 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 100W 전압-정격: 84V 패키지 / 케이스: 440199 공급자 장치 패키지: 440199	재고 있음187
BLF647P,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.3GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1121A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음14
BLF178P,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 108MHz 이득: 28.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 88A 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 1200W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: SOT539A 공급자 장치 패키지: SOT539A	재고 있음454
BLF178XR,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 108MHz 이득: 28dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 1400W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: SOT539A 공급자 장치 패키지: SOT539A	재고 있음18
BLF888A,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 860MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 600W 전압-정격: 110V 패키지 / 케이스: SOT539A 공급자 장치 패키지: SOT539A	재고 있음19
BLF188XRU Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 108MHz 이득: 24.4dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 1400W 전압-정격: 135V 패키지 / 케이스: SOT539A 공급자 장치 패키지: SOT539A	재고 있음101
BLF645,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 1.3GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 32A 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-540A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음139
CGH40035F Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET HEMT 28V 440193 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 4GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 84V 패키지 / 케이스: 440193 공급자 장치 패키지: 440193	재고 있음1,289
BLF184XRU Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 108MHz 이득: 23.9dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 700W 전압-정격: 135V 패키지 / 케이스: SOT-1214A 공급자 장치 패키지: SOT1214A	재고 있음547
SD2943W STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 40A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 130V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음6,931
BLF183XRU Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 108MHz 이득: 28dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 135V 패키지 / 케이스: SOT-1121A 공급자 장치 패키지: LDMOST	재고 있음260
SD2933W STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS RF HF/VHF/UHF 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 23.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 40A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음5,326
CGH40025F Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET HEMT 28V 440166 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 6GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 7A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 84V 패키지 / 케이스: 440166 공급자 장치 패키지: 440166	재고 있음1,925
VRF2933 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 150MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 2mA 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 170V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음370
BLF642,112 Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.3GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 35W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT467C 공급자 장치 패키지: SOT467C	재고 있음3,163
BA982-GS08 Vishay Semiconductor Diodes Division	다이오드-RF DIODE STNRD 35V SOD80 QUADROMELF 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Standard - Single 전압-피크 역방향 (최대): 35V 현재-최대: 100mA 커패시턴스 @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz 저항 @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 200MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SOD-80 Variant 공급자 장치 패키지: SOD-80 QuadroMELF	재고 있음183,087
1SV233-TB-E ON Semiconductor	다이오드-RF RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 50V 현재-최대: 50mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz 저항 @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): 150mW 작동 온도: 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음1,638
HSMP-482B-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE PIN 50V SOT323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 50V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 20V, 1MHz 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음1
BA89202VH6327XTSA1 Infineon Technologies	다이오드-RF RF DIODE STANDARD 35V SC79-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 다이오드 유형: Standard - Single 전압-피크 역방향 (최대): 35V 현재-최대: 100mA 커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz 저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2	재고 있음1,173,442
ASML-5829-BLKG Broadcom	다이오드-RF RF DIODE PIN 128V/22V SOT323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Pin + Schottky 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 128V, 22V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 0.375pF @ 5V, 1MHz 저항 @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음1,472
HSMS-2850-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대): 2V 현재-최대: - 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,486
HSMS-282C-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 15V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음299,726
HSMS-2814-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode 전압-피크 역방향 (최대): 20V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음474
HSMS-2812-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 20V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,570
HSMP-389C-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE PIN 100V SOT323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 100V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz 저항 @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음348
HSMP-3822-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE PIN 50V SOT23-3 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대): 50V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 0.8pF @ 20V, 1MHz 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음253,905
BAR8802LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies	다이오드-RF RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대): 80V 현재-최대: 100mA 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz 전력 손실 (최대): 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SOD-882 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2	재고 있음92,719
HSMP-386L-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE PIN 50V SOT363 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - 3 Independent 전압-피크 역방향 (최대): 50V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 50V, 1MHz 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음654
HSMP-386E-TR1G Broadcom	다이오드-RF RF DIODE PIN 50V SOT323 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Anode 전압-피크 역방향 (최대): 50V 현재-최대: 1A 커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 50V, 1MHz 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음5,518

CG2H30070F

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET HEMT 28V

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: GaN
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: -
이득: -
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: 75W
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음10,033

CGH40090PP

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET HEMT 28V 440199

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: GaN
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 0Hz ~ 4GHz
이득: 12.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 28A
소음 수치: -
현재-테스트: 1A
전원-출력: 100W
전압-정격: 84V
패키지 / 케이스: 440199
공급자 장치 패키지: 440199

재고 있음187

BLF647P,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.3GHz
이득: 18dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-1121A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음14

BLF178P,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 108MHz
이득: 28.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 88A
소음 수치: -
현재-테스트: 40mA
전원-출력: 1200W
전압-정격: 110V
패키지 / 케이스: SOT539A
공급자 장치 패키지: SOT539A

재고 있음454

BLF178XR,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 108MHz
이득: 28dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 40mA
전원-출력: 1400W
전압-정격: 110V
패키지 / 케이스: SOT539A
공급자 장치 패키지: SOT539A

재고 있음18

BLF888A,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 860MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.3A
전원-출력: 600W
전압-정격: 110V
패키지 / 케이스: SOT539A
공급자 장치 패키지: SOT539A

재고 있음19

BLF188XRU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 108MHz
이득: 24.4dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 40mA
전원-출력: 1400W
전압-정격: 135V
패키지 / 케이스: SOT539A
공급자 장치 패키지: SOT539A

재고 있음101

BLF645,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 1.3GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 32A
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT-540A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음139

CGH40035F

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET HEMT 28V 440193

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: GaN
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 0Hz ~ 4GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10.5A
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 84V
패키지 / 케이스: 440193
공급자 장치 패키지: 440193

재고 있음1,289

BLF184XRU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 108MHz
이득: 23.9dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 700W
전압-정격: 135V
패키지 / 케이스: SOT-1214A
공급자 장치 패키지: SOT1214A

재고 있음547

SD2943W

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 40A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 350W
전압-정격: 130V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음6,931

BLF183XRU

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source
주파수: 108MHz
이득: 28dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 100mA
전원-출력: 350W
전압-정격: 135V
패키지 / 케이스: SOT-1121A
공급자 장치 패키지: LDMOST

재고 있음260

SD2933W

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS RF HF/VHF/UHF

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 23.5dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 40A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 125V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음5,326

CGH40025F

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET HEMT 28V 440166

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: GaN
트랜지스터 유형: HEMT
주파수: 0Hz ~ 6GHz
이득: 13dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 7A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 30W
전압-정격: 84V
패키지 / 케이스: 440166
공급자 장치 패키지: 440166

재고 있음1,925

VRF2933

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 150MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 2mA
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 170V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음370

BLF642,112

Ampleon

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C

제조업체: Ampleon USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.3GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 200mA
전원-출력: 35W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: SOT467C
공급자 장치 패키지: SOT467C

재고 있음3,163

BA982-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

다이오드-RF

DIODE STNRD 35V SOD80 QUADROMELF

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대): 35V
현재-최대: 100mA
커패시턴스 @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz
저항 @ If, F: 700mOhm @ 3mA, 200MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SOD-80 Variant
공급자 장치 패키지: SOD-80 QuadroMELF

재고 있음183,087

1SV233-TB-E

ON Semiconductor

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 50V
현재-최대: 50mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): 150mW
작동 온도: 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음1,638

HSMP-482B-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SOT323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 50V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음1

BA89202VH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V SC79-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
다이오드 유형: Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대): 35V
현재-최대: 100mA
커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

재고 있음1,173,442

ASML-5829-BLKG

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE PIN 128V/22V SOT323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Pin + Schottky 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 128V, 22V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 0.375pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음1,472

HSMS-2850-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대): 2V
현재-최대: -
커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,486

HSMS-282C-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 15V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음299,726

HSMS-2814-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode
전압-피크 역방향 (최대): 20V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음474

HSMS-2812-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 20V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 1.2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,570

HSMP-389C-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE PIN 100V SOT323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 100V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
저항 @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음348

HSMP-3822-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SOT23-3

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대): 50V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 0.8pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음253,905

BAR8802LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대): 80V
현재-최대: 100mA
커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대): 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SOD-882
공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

재고 있음92,719

HSMP-386L-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SOT363

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - 3 Independent
전압-피크 역방향 (최대): 50V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음654

HSMP-386E-TR1G

Broadcom

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V SOT323

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
다이오드 유형: PIN - 1 Pair Common Anode
전압-피크 역방향 (최대): 50V
현재-최대: 1A
커패시턴스 @ Vr, F: 0.2pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음5,518

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