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2N7002PS,115

2N7002PS,115

참조 용

부품 번호 2N7002PS,115
PNEDA 부품 번호 2N7002PS-115
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
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2N7002PS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002PS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
2N7002PS, 2N7002PS 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 475.64 KB)
PDF2N7002PS/ZLX 데이터 시트 표지
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2N7002PS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)320mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 10V
전력-최대420mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36.5mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

GWS4621L

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1125pF @ 10V

전력-최대

3.6W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA, CSP

공급자 장치 패키지

4-WLCSP (1.82x1.82)

CSD83325L

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA

공급자 장치 패키지

6-PicoStar

SI6924AEDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

28V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

BUK9K89-100E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1108pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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