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APT33GF120B2RDQ2G

APT33GF120B2RDQ2G

참조 용

부품 번호 APT33GF120B2RDQ2G
PNEDA 부품 번호 APT33GF120B2RDQ2G
설명 IGBT 1200V 64A 357W TMAX
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,284
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT33GF120B2RDQ2G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT33GF120B2RDQ2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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APT33GF120B2RDQ2G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)64A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
전력-최대357W
에너지 전환1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/185ns
테스트 조건800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지-

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 30A

전력-최대

200W

에너지 전환

2.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/400ns

테스트 조건

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/70ns

테스트 조건

400V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

SKB02N120ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

전력-최대

62W

에너지 전환

220µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/260ns

테스트 조건

800V, 2A, 91Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

FGA5065ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.35mJ (on), 309µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/62.4ns

테스트 조건

400V, 50A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

370A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1000A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 160A

전력-최대

1150W

에너지 전환

4.4mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

553nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/245ns

테스트 조건

400V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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