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APTM50DUM38TG

APTM50DUM38TG

참조 용

부품 번호 APTM50DUM38TG
PNEDA 부품 번호 APTM50DUM38TG
설명 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50DUM38TG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50DUM38TG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM50DUM38TG, APTM50DUM38TG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 293.28 KB)
PDFAPTM50DUM38TG 데이터 시트 표지
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  • APTM50DUM38TG Distributor

APTM50DUM38TG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11200pF @ 25V
전력-최대694W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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Rohm Semiconductor

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-

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2 P-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 6V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

SI6963BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SP8K52FRATB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2615pF @ 30V

전력-최대

2.8W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc), 54A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V

전력-최대

27W (Tc), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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