BUK9K29-100E,115
참조 용
| 부품 번호 | BUK9K29-100E,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9K29-100E-115 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,076 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9K29-100E 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9K29-100E,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BUK9K29-100E 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3491pF @ 25V |
| 전력-최대 | 68W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56D |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 25V 전력-최대 3W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 37.6mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1533pF @ 25V 전력-최대 53W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A, 9.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 31nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 855pF @ 20V 전력-최대 3.1W, 3.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 74A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 272nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5120pF @ 1000V 전력-최대 470W 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800pF @ 15V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 PG-DSO-8 |
