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DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13

참조 용

부품 번호 DMHC3025LSDQ-13
PNEDA 부품 번호 DMHC3025LSDQ-13
설명 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMHC3025LSDQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMHC3025LSDQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMHC3025LSDQ-13, DMHC3025LSDQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 341.54 KB)
PDFDMHC3025LSDQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMHC3025LSDQ-13 Distributor

DMHC3025LSDQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds590pF @ 15V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

225mW

작동 온도

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2245pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric SA

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ SA

APTC60DDAM24T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

QJD1210SA1

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 34mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8200pF @ 10V

전력-최대

520W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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