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FDMD8560L

FDMD8560L

참조 용

부품 번호 FDMD8560L
PNEDA 부품 번호 FDMD8560L
설명 MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,678
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMD8560L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMD8560L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMD8560L, FDMD8560L 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 691.84 KB)
PDFFDMD8560L 데이터 시트 표지
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FDMD8560L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A, 93A
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs128nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11130pF @ 30V
전력-최대2.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-Power 5x6

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6 FLMP

FDC6036P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

992pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

APTM60A11FT1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

132mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10552pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

DMN3032LFDB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

SIZ988DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

전력-최대

20.2W, 40W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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