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FW217A-TL-2WX

FW217A-TL-2WX

참조 용

부품 번호 FW217A-TL-2WX
PNEDA 부품 번호 FW217A-TL-2WX
설명 MOSFET N-CH 35V 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FW217A-TL-2WX 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FW217A-TL-2WX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FW217A-TL-2WX, FW217A-TL-2WX 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 342.91 KB)
PDFFW217A-TL-2WX 데이터 시트 표지
FW217A-TL-2WX 데이터 시트 페이지 2 FW217A-TL-2WX 데이터 시트 페이지 3 FW217A-TL-2WX 데이터 시트 페이지 4 FW217A-TL-2WX 데이터 시트 페이지 5 FW217A-TL-2WX 데이터 시트 페이지 6 FW217A-TL-2WX 데이터 시트 페이지 7

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  • FW217A-TL-2WX Distributor

FW217A-TL-2WX 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1255pF @ 15V

전력-최대

12W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

8-LSON (5x6)

US6M2GTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TUMT6

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AON2803

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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