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MRF6VP41KHR7

MRF6VP41KHR7

참조 용

부품 번호 MRF6VP41KHR7
PNEDA 부품 번호 MRF6VP41KHR7
설명 FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP41KHR7 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP41KHR7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP41KHR7, MRF6VP41KHR7 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,356.61 KB)
PDFMRF6VP41KHSR7 데이터 시트 표지
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MRF6VP41KHR7 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수450MHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS (Dual)

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

22.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

10W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

TO-270BB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4 Gull

PTVA101K02EV-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

900W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-36275-4

공급자 장치 패키지

H-36275-4

PN4416_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BF244B_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

50mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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