MRFG35003M6T1
참조 용
| 부품 번호 | MRFG35003M6T1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFG35003M6T1 |
| 설명 | FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,578 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFG35003M6T1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFG35003M6T1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFG35003M6T1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | pHEMT FET |
| 주파수 | 3.55GHz |
| 이득 | 9dB |
| 전압-테스트 | 6V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 180mA |
| 전원-출력 | 3W |
| 전압-정격 | 8V |
| 패키지 / 케이스 | PLD-1.5 |
| 공급자 장치 패키지 | PLD-1.5 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 18A 소음 수치 - 현재-테스트 690mA 전원-출력 17W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT896B 공급자 장치 패키지 SOT896B, DFM2 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.88GHz ~ 2.025GHz 이득 15.9dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 700mA 전원-출력 229W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-1230-4L2L 공급자 장치 패키지 OM-1230-4L2L |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 2GHz 이득 15.5dB 전압-테스트 4.5V 전류 정격 (Amps) 1A 소음 수치 1.1dB 현재-테스트 280mA 전원-출력 29dBm 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 SOT-89 |
