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SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

참조 용

부품 번호 SI9945AEY-T1
PNEDA 부품 번호 SI9945AEY-T1
설명 MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI9945AEY-T1 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI9945AEY-T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI9945AEY-T1, SI9945AEY-T1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 103.57 KB)
PDFSI9945AEY-T1 데이터 시트 표지
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  • SI9945AEY-T1 Distributor

SI9945AEY-T1 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대2.4W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 30V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

625pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP (5.5x6.0)

DMHT3006LFJ-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1171pF @ 15V

전력-최대

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

V-DFN5045-12

AON6932A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A, 36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1037pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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UPA2672T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

486pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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