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메모리 IC

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부품 번호
설명
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M29W800DT70ZM6E
M29W800DT70ZM6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,698
M29W800DT70ZM6F TR
M29W800DT70ZM6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,164
M29W800DT90N1
M29W800DT90N1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음5,490
M29W800DT90N6
M29W800DT90N6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음5,742
M29W800FB70N3E
M29W800FB70N3E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음8,982
M29W800FB70N3F TR
M29W800FB70N3F TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음5,490
M29W800FB70ZA3SE
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)
재고 있음7,290
M29W800FB70ZA3SF TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)
재고 있음7,416
M29W800FB7AN6F TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음2,502
M29W800FB7AZA6F TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)
재고 있음6,534
M29W800FT70N3E
M29W800FT70N3E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음6,264
M29W800FT70N3F TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음7,164
M29W800FT70ZA3SE
M29W800FT70ZA3SE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)
재고 있음8,838
M29W800FT70ZA3SF TR
M29W800FT70ZA3SF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)
재고 있음5,004
M30LW128D110N6
M30LW128D110N6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,748
M30LW128D110ZA6
M30LW128D110ZA6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)
재고 있음2,808
M34C02-LDW6T
M34C02-LDW6T

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.2V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음8,964
M34C02-LDW6TP
M34C02-LDW6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.2V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,164
M34C02-RDW6TP
M34C02-RDW6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,866
M34C02-RMB6TG
M34C02-RMB6TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8UFDFPN

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UFDFPN (2x3)
재고 있음8,046
M34C02-WDW6T
M34C02-WDW6T

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음2,898
M34C02-WMN6T
M34C02-WMN6T

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음8,442
M34D64-WMN6P
M34D64-WMN6P

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음4,662
M34D64-WMN6T
M34D64-WMN6T

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음2,412
M34D64-WMN6TP
M34D64-WMN6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음2,700
M34E02-FDW1TP
M34E02-FDW1TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,452
M34E02-FDW6TP
M34E02-FDW6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음291,334
M34E02-FMB1TG
M34E02-FMB1TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8UFDFPN

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UFDFPN (2x3)
재고 있음8,856
M34E02-FMC6TG
M34E02-FMC6TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8UFDFPN

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UFDFPN (2x3)
재고 있음47,314
M34E04-FMC9TG
M34E04-FMC9TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8UFDFPN

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-UFDFPN (2x3)
재고 있음67,290