메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
M48Z02-150PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음1,072
M48Z02-200PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음6,804
M48Z02-70PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음189
M48Z08-100PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음489
M48Z12-150PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음369
M48Z12-200PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음4,356
M48Z12-70PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음355
M48Z128-70PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음5,508
M48Z128Y-70PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음225
M48Z128Y-85PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음7,236
M48Z129V-85PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음4
M48Z18-100PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음498
M48Z2M1V-85PL1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36PLDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module 공급자 장치 패키지: 36-PLDIP Module	재고 있음3,418
M48Z2M1Y-70PL1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36PLDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module 공급자 장치 패키지: 36-PLDIP Module	재고 있음4,536
M48Z32V-35MT1E STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 44SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOP (0.337", 8.56mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SO	재고 있음4,752
M48Z32V-35MT1F STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 44SO 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-BSOP (0.337", 8.56mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-SO	재고 있음5,166
M48Z35-70PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음6,372
M48Z35AV-10MH1E STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets 공급자 장치 패키지: 28-SOH	재고 있음2,610
M48Z35AV-10MH6F STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets 공급자 장치 패키지: 28-SOH	재고 있음4,788
M48Z35AV-10PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음7,020
M48Z35Y-70MH1E STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets 공급자 장치 패키지: 28-SOH	재고 있음2,142
M48Z35Y-70MH1F STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets 공급자 장치 패키지: 28-SOH	재고 있음4,410
M48Z35Y-70MH6E STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets 공급자 장치 패키지: 28-SOH	재고 있음2,790
M48Z35Y-70PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음105
M48Z512A-70PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음3,708
M48Z512AV-85PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음3,294
M48Z512AY-70PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음2,556
M48Z512BV-85PM1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module	재고 있음5,058
M48Z58-70PC1 STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®	재고 있음9,756
M48Z58Y-70MH1E STMicroelectronics	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28SOH 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets 공급자 장치 패키지: 28-SOH	재고 있음7,470

M48Z02-150PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음1,072

M48Z02-200PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음6,804

M48Z02-70PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음189

M48Z08-100PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음489

M48Z12-150PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음369

M48Z12-200PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음4,356

M48Z12-70PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 24-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음355

M48Z128-70PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음5,508

M48Z128Y-70PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음225

M48Z128Y-85PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음7,236

M48Z129V-85PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음4

M48Z18-100PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음498

M48Z2M1V-85PL1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36PLDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module
공급자 장치 패키지: 36-PLDIP Module

재고 있음3,418

M48Z2M1Y-70PL1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36PLDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module
공급자 장치 패키지: 36-PLDIP Module

재고 있음4,536

M48Z32V-35MT1E

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 44SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOP (0.337", 8.56mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SO

재고 있음4,752

M48Z32V-35MT1F

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 44SO

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-BSOP (0.337", 8.56mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-SO

재고 있음5,166

M48Z35-70PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음6,372

M48Z35AV-10MH1E

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지: 28-SOH

재고 있음2,610

M48Z35AV-10MH6F

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지: 28-SOH

재고 있음4,788

M48Z35AV-10PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음7,020

M48Z35Y-70MH1E

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지: 28-SOH

재고 있음2,142

M48Z35Y-70MH1F

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지: 28-SOH

재고 있음4,410

M48Z35Y-70MH6E

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지: 28-SOH

재고 있음2,790

M48Z35Y-70PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음105

M48Z512A-70PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음3,708

M48Z512AV-85PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음3,294

M48Z512AY-70PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음2,556

M48Z512BV-85PM1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32PMDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-PMDIP Module

재고 있음5,058

M48Z58-70PC1

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-PCDIP, CAPHAT®

재고 있음9,756

M48Z58Y-70MH1E

STMicroelectronics

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28SOH

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
공급자 장치 패키지: 28-SOH

재고 있음7,470

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