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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
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수량
M34F04-WMN6TP
M34F04-WMN6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SO

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 400kHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 900ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SO
재고 있음4,932
M34M02-DXCT2TP/K
M34M02-DXCT2TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2KBIT

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,190
M36DR432AD10ZA6T
M36DR432AD10ZA6T

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 66LFBGA

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 66-LFBGA (12x8)
재고 있음8,838
M36L0R7050B4ZAQE
M36L0R7050B4ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,676
M36L0R7050B4ZAQF TR
M36L0R7050B4ZAQF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,298
M36L0R7050L3ZSE
M36L0R7050L3ZSE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,176
M36L0R7050L3ZSF TR
M36L0R7050L3ZSF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,866
M36L0R7050T4ZAQE
M36L0R7050T4ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,772
M36L0R7050T4ZAQF TR
M36L0R7050T4ZAQF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,196
M36L0R7050T4ZSPE
M36L0R7050T4ZSPE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,580
M36L0R7050T4ZSPF TR
M36L0R7050T4ZSPF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,024
M36L0R7050U3ZSE
M36L0R7050U3ZSE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,326
M36L0R7050U3ZSF TR
M36L0R7050U3ZSF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 160M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,914
M36L0R7060L3ZSE
M36L0R7060L3ZSE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 192M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,380
M36L0R7060L3ZSF TR
M36L0R7060L3ZSF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 192M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,156
M36L0R7060U3ZSE
M36L0R7060U3ZSE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 192M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,562
M36L0R7060U3ZSF TR
M36L0R7060U3ZSF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 192M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,412
M36P0R8060E0ZAQE
M36P0R8060E0ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 320M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,452
M36P0R8060E0ZAQF TR
M36P0R8060E0ZAQF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 320M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,928
M36W0R5040B5ZAQE
M36W0R5040B5ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 88TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-TFBGA (8x10)
재고 있음8,676
M36W0R5040T5ZAQE
M36W0R5040T5ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 88TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 88-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 88-TFBGA (8x10)
재고 있음3,168
M36W0R6050B4ZAQE
M36W0R6050B4ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 96M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,184
M36W0R6050B4ZAQF TR
M36W0R6050B4ZAQF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 96M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,034
M36W0R6050L4ZSE
M36W0R6050L4ZSE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,858
M36W0R6050T4ZAQE
M36W0R6050T4ZAQE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 96M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,560
M36W0R6050T4ZAQF TR
M36W0R6050T4ZAQF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 96M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,232
M36W0R6050U4ZSE
M36W0R6050U4ZSE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 96M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,308
M36W0R6050U4ZSF TR
M36W0R6050U4ZSF TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH PSRAM 96M

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,798
M36W432T85ZA6T
M36W432T85ZA6T

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 66LFBGA

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 66-LFBGA (12x8)
재고 있음4,716
M39L0R8090U3ZE6E
M39L0R8090U3ZE6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 256M PAR 133VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH, RAM
  • 기술: FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 133-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 133-VFBGA (8x8)
재고 있음6,102